半导体材料篇3 化合物半导体

最新推荐文章于 2025-06-09 15:02:52 发布

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分类专栏：半导体半导体材料篇文章标签：制造半导体微电子

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化合物半导体概述

化合物半导体的定义：由两种及以上元素以确定原子配比组成的化合物，多是一种晶态无机化合物半导体

化合物半导体具有确定的禁带宽度和能带结构。

半导体化合物典型的晶体结构为闪锌矿结构、纤锌矿结构

化合物半导体有两种分类方式：
1.按元素分类，本质上是由于原子序数的增大，共价键的键合能力会变弱，而结构决定性质。所以按元素分类包括： $三五族、二四族、四四族$
2.按能带结构，可以分为直接带隙半导体和间接带隙半导体。
对于直接带隙半导体来说，依旧按元素分类，我们可以得到各类的能带结构特性和性质变化的本质，那就是原子结合依靠共价键和不同程度的离子键。元素差异越大，则离子键越多。

直接带隙半导体的特点是：电子激发与复合很容易，无需变换动量（即k值）

间接代谢半导体的特点：电子激发与复合较难，且需要变换动量。
对于间接代谢半导体来说，若需要电子激发或复合，其过程分为两步：
第一步：电子被复合中心 $E_r$ 俘获，晶格振动（及产生声子）。 $E_r$ 为复合中心，由晶体或杂质缺陷组成
第二步，复合中心与价带顶部 $E_v$ 同动量，复合时动量不变，并产生光子

三五族化合物

三五族化合物的组成元素：
1.三A族包括：B，Al，Ga，In
2.五A族包括：N，P，As，Sb

一般三五族化合物半导体的特点：

应用	性质
1.耐高温、功率大	带隙大,一般>1.1eV
2.高光电转换效率	直接跃迁能带结构,如GaN
3.作高频高速器件	电子迁移率高,如InP
4.带隙随温度而变化	–

其他特性比如**化学键相关特性*包括：
1.同时含共价键与离子键。所含离子键越多，则极性越强
极性的定义：晶体在对称晶面上的性质不同，叫极性
2.组成元素的原子序数之和越大，则熔点越低。

最典型的三五族化合物是砷化镓GaAs。

砷化镓的特性包括：

GaAs的特性	–
外在特性	暗黑色、玻璃光泽、强抗辐射能力
结构特性	闪锌矿，晶格常数a等于0.56419
化学性质	常温下，不溶于氯化氢、硫酸，但浓硝酸、王水可以

砷化镓的缺点：
1.自然资源少
2.配比不容易控制，As有毒且容易挥发（总结就是制备上较为困难）
3.生长的单晶位错较多
4.热导率较低

制备砷化镓晶体的方法包括：液封直接法，水平布里奇曼法，垂直梯度凝固法VGF，气氛控制直拉法VCZ

制备砷化镓外延片的方法：cvd等

另一个典型的三五族化合物半导体是氮化镓GaN、磷化铟InP、氮化铝AlN

氮化镓GaN

氮化镓的性质包括：

GaN的性质	–
物理性质	频率高达到300GHz，只Si为10GHz，GaAs为80GHz
–	其他三五族化合物典型的性质，氮化镓都有
电特性	禁带宽度 $E_g=3.4$ ，非常大
–	未掺杂时呈现n型
光特性	可发蓝光
化学特性	氢氧化钠/硫酸/磷酸可反应低质氮化镓（因此，这些溶液可以用于缺陷检测）

制备氮化镓的方法——热铵法

热铵法的流程为：
1.TMGa三甲基镓（Ga(CH3)3)分解出Ga
2.Ga与NH3反应

磷化铟

磷化银的单晶生长法：用含B2O3的液封直拉法
多晶生长方法则用：炉外高压容器

氮化铝AlN

氮化铝的特点:带隙最大，达到6.2eV，用于发出紫光或紫外光UV
氮化铝的晶体结构为:六方纤锌矿结构
氮化铝的晶体制备方法：铝直接氮化法，高氮气压溶液生长法

二四族化合物半导体

二四族化合物半导体的特点：

性质	产生原因
1.功率大，工作温度高	能隙比三五族化合物大
2.高光电转换效率	直接跃迁能带结构
3.作高频高速器件	电子迁移率高
4.原子序数之和越大，则带隙越小	–
5.电导主要由缺陷或杂质引起	本征载流子浓度ni极低

二四族化合物半导体的**化学键相关特性*包括：
1.离子键比共价键多，因而极性更强
2.因为熔化时所需要的蒸汽压过高，所以不易生长单晶

四四族化合物半导体（以SiC为例）

碳化硅的晶体结构包括：

晶体结构	特性	应用
6H-SiC	结构最稳定	光电子器件
3C-SiC	电子迁移率最高	高温、大功率、高频器件
4H-SiC饱和电子速度大	碳化硅功率器件
$\beta$ -SiC	质量高，便宜

SiC的性质包括：物理性质，化学性质和其他性质

物理性质

物理性质包括：

性质类别	具体性质
力学特性	硬度大、耐磨
–	弹性模量大
热力学特性	热导率高，常用于大功率器件
–	热稳定性好
电学特性	因为带隙宽，所以击穿电压大