吐个槽!

最近不止一个人跟我说什么先进工艺,foundary不再提供signoff标准了!

我承认, 我根本不信, 虽然我没搞过什么5nm。

先不猜测是哪家的foundary。就问以下几个问题。

难道foudary把做test chip验证工艺良率的任务都不做了吗?

你会用一个没有silicon provoen的库来量产?

你用这个工艺,以及这个单元库,你不先了解一下良率是多少吗?

如果拿到这个数字的话,你不需要知道这个良率是在什么条件下得到的吗?

这些条件,就是signoff的依据。

signoff guide,你别告诉我你没要。

你没要,那是你的问题,不是foundary没给好吗?

更不是foundary不想承担责任。

除非一种可能,不想跟你做生意。

1

进行timing signoff,我需要知道signoff哪些corner,以及uncertainty, derating怎么设置。

2

有了LVF后,可以说process variation已经放进去了。理论上,我们是不需要在考虑local variation了。

但是这里面还是有一定的问题。

就是在超低压状态下。cell delay的分布会显示出非高斯特性分布。这就导致的mean delay的偏移,以及长尾效应。

而由于hold的特殊性(与频率无关),所以除了LVF外,可能还会增加一些gardband,来保证良率。

另外对于互联线的derate,是不包含在LVF中的。因此对于互联线,需要加上一个ocv的margin。

而对于net的variation,LVF里没有,当然需要foundary来提供。

3

最后就是uncertainty值,一般来说,电压越低,uncertainty越大。

这里不讨论PLL的jitter问题。这个跟PLL的特性有关。

由于LVF已经覆盖了local process variation,uncertainty不应再含有这部分。

uncertainty可能需要考虑一些没有cover到的timing corner,以及可能存在的工具的精度问题。

这里还是要看foundary的建议。因为加多了,会导致over design。加少了,可能良率会有一定的影响。

但是这部分不是必须的。如果foundary认为,其提供的LVF中已经有了足够的margin,有些工艺也不需要额外加uncertainty。

4

回到本文开始,我想请问,像这些设置,在foundary不提供信息的状态下,你怎么设置?

对于大多数公司来说,不可能都能参与foundary的工艺研发,他们就不能进行芯片设计了吗?

当然,不排除你牛,能搞出来。我觉得称你为国内PD第一人也不为过。

不过,为什么不让foundary给点建议呢,毕竟都付了几千万美金来流片了。

end

当然,对于这个guide,你可以不follow,很多大公司有自己的signoff标准,自己做test chip。

原因不是foundary提供的数值不准,而是想避免overdesign。

所以,与其担心foundary提供的guide不准,不如想想,怎么避免overdesign吧。

不是加更多的margin才显得牛,而是,能够判断出更少的margin,但是芯片回来后,却能够符合要求。

这样的人,真的不多。

这里说的是用的foundary指定的标准单元库。如果是第三方,可能还需要让第三方来提供相应的参数。

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