STA的影响因素——PVT

一颗健壮的IC芯片应该具有能屈能伸的品质，他需要适应于他在应用范围内变化的温度，电压，他需要承受制造工艺的偏差，这就需要在设计实现过程中考虑这些变化的温度，电压和工艺偏差。

在STA星球，用Library PVT RC corner跟OCV来模拟这些不可控的随机因素，在每个工艺结点，通过大量的建模跟实测，针对每个工具的工艺，foundary厂都会提供一张推荐的timingsignoff表格，建议需要signoff的corner以及各个corner需要设置的OCV跟margin，这些corner能保证大部分芯片可以承受温度电压跟工艺偏差，一个corner = libraryPVT + RC corner + OCV 本文将关注于library PVT。

PVT也称为 Operating condition ，是STA一个基本且重要的概念，在library的表头会有operating condition 的定义，如下图，其中【ss0p81vm40c】是这个operating condition的名字，通常这个名字是有意义的，它会标出该lib对应的电压跟温度，如0p81对应于voltage：0.81，m40c对应于temperature：-40°。

P-process ：IC制造工艺本身的不完美，使得制造偏差不可避免，在library中会用一个百分比来表示工艺偏差，如process：1表示没偏差，在沉积或参杂过程中，杂质浓度密度，氧化层厚度，扩散深度都可能发生偏差，从而导致管子的电阻跟阈值电压发生偏差；光刻过程中由于分辨率的偏差会导致管子的宽长比偏差，而这些偏差，都会导致管子性能的差异。

V-voltage：管子的延时取决于饱和电流，而饱和电流取决于供电电压，且不论多电压域芯片，就单电压芯片而言，电池的供电电压本身就在一个范围内变化，再加上片外或者片上voltage regulator的误差，再加上IR，一个芯片上的每个管子都可能工作在不同电压下，从而性能也有所差别。

T-temperature：在日常操作中，IC芯片必须适应温度不恒定的环境，当芯片运行时，由于开关功耗，短路功耗和漏电功耗会使芯片内部的温度发生变化，温度波动对性能的影响通常被认为时线性的，但是在深亚微米温度对性能的影响是非线性的，对于一个管子，当温度升高，空穴/电子的移动速度会变慢，使延时增加，而同时温度的升高也会使管子的阈值电压降低，较低的阈值电压意味着更高的电流，因此管子的延时减小，而通常温度升高对空穴/电子移动速度的影响会大于对阈值电压的影响，所以温度升高对管子的延时呈现增加趋势，但是并不是温度越低管子的延时就越小，晶体管有温度反转效应，当温度低到某一个值以后，随着温度的减低，管子的延时会增加，至于温度反转点跟具体的工艺相关。