N沟道和P沟道开漏输出

最新推荐文章于 2023-08-20 21:13:30 发布
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分类专栏： 基础 单片机 文章标签： 单片机 开漏输出 N沟道 P沟道
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N沟道开漏输出，只能输出低电平，需要加上上拉电阻才能输出高电平，常见的开漏输出基本都是N沟道输出，例如51单片机的P0口。
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P沟道开漏输出，只能输出高电平，需要加下拉电阻才能输出低电平，一般不多见。
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guanjianhe
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专栏目录
分析如何区分MOS管是N沟道还是P沟道-KIA MOS管
树卡花
01-08 1万+
1、MOS的三个极怎么判定： MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方。 G极，不用说比较好认。S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是。D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。 2、如何区分场效应管是N沟道还是P沟道？ 答：在电路图中N沟道的MOS管箭头是向内侧指向，P沟道的箭头是向外侧指向的。 N沟道的测量方法是：万用表打到二极管档，红表笔接s极，黑表笔接D极，测到400到800的阻值就可以判断这个MOS管是N沟道的。p沟道的测量方法是：万用表打到二极管档，红表笔接D极，黑表笔接s极
关于开漏输出
weixin_34242509的博客
04-25 565
开漏输出： 输出端相当于三极管的集电极，要得到高电平状态需要上拉电阻； 适用于做电流型的驱动，吸收电流的能力相对强（一般20mA以内）； 开漏没有驱动能力，高电平就相当于一个很大的阻抗，要用开漏引脚驱动外设，必须加上拉电阻； 开漏输出作用： 可以把多个开漏输出的Pin连接一起，形成“与逻辑”关系；这也是I2C,SMBu...
集电极开路输出、开漏输出、推挽输出
08-20
本文章主要简单介绍了集电极开路输出、开漏输出和推挽输出
open-drain and push-pull(转)
asdfasdfhhh的专栏
06-22 3507
具有开漏(OD)输出的器件是指内部输出和地之间有个N沟道的MOSFET（Q1），这些器件可以用于电平转换的应用。输出电压由Vcc决定。Vcc可以大于输入高电平电压VCC（up－translate）也可以低于输入高电平电压VCC（down－translate）。开漏器件对于各种电压节点间的电平转换非常有用。但是，这种电平转换的方法存在一些缺点。例如，当输出电平为低时，N沟道三极管是导通的
开漏输出和推挽输出
qq_31169259的博客
05-09 605
要理解推挽输出，首先要理解好三极管（晶体管）的原理。下面这种三极管有三个端口，分别是基极（Base）、集电极（Collector）和发射极（Emitter）。下图是NPN型晶体管。 这种三极管是电流控制型元器件，注意关键词电流控制。意思就是说，只要基极B有输入（或输出）电流就可以对这个晶体管进行控制了。把基极B视为控制端，集电极C视为输入端，发射极E视为输出端。这里输入输出是指电流流动的方向。 当控制端有电流输入的时候，就会有电流从输入端进入并从输出端流出。 而PNP管正...
什么叫开漏输出
liqingmcu的专栏
01-04 2502
开漏输出：OC门的输出就是开漏输出；OD门的输出也是开漏输出。TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出电流。所以，为了能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。 OC门开漏输出和OD门开漏输出都是为了同一个目的，都是为了实现逻辑器件的线与逻辑，当然选用不同的外接电阻也可以实现外围驱动能力的
集电极开路漏极开路推挽输出
学海无涯，回头是岸........
01-16 4696
漏极开路上拉电阻取值为何不能很大或很小？ 如果上拉电阻值过小，VDD灌入端口的电流(Ic)将较大，这样会导致MOS管（三极管）不完全导通(Ib*β 如果上拉电阻过大，加上线上的总线电容，由于RC影响，会带来上升时间的增大（下降延是芯片内的晶体管，是有源驱动，速度较快；上升延是无源的外接电阻，速度慢），而且上拉电阻过大，即引起输出阻抗的增大，当输出阻抗和负载的阻抗可以比拟的时，则输出的高电平会分
N沟道和P沟道CMOS管工作原理
04-06
而CMOS管作为这种技术的核心，根据其导电类型的不同，可分为N沟道和P沟道两种。它们在工作原理以及在电路中的应用都有所区别。 首先，要了解N沟道和P沟道MOS管，需要先明确MOS管的基础知识。MOS管全称是金属-氧化物...
N沟道增强型MOS管结构示意图
07-15
N沟道增强型MOS管的代表符号中箭头方向是由P型衬底指向N型沟道，这和P沟道增强型MOS管正好相反。在电气符号中，通过这样的箭头方向区分不同类型的MOS管是非常直观的。 N沟道增强型MOS管的电流-电压（I-V）特性与其...
MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管
08-21
MOS，即金属-氧化物-半导体，是一种半导体器件的类型，分为N沟道MOS管（NMOS）和P沟道MOS管（PMOS）。这两种管子的不同组合形成了各种类型的MOS集成电路，包括NMOS、PMOS以及互补MOS（CMOS）电路。 NMOS电路主要由N...
单片机程序配置成开漏输出_单片机I/O开漏输出详解
weixin_34792357的博客
12-29 1299
开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).我们先来说说集电极开路输出的结构。集电极开路输出的结构如图1所示，右边的那个三极管集电极什么都不接，所以叫做集电极开路(左边的三极管为反相之用，使输入为“0”时，输出也为“0”)。对于图1，当左端的输入为“0”时，前面的三极管截止(即集电极C跟发射极E之间相...
什么是漏极开路【转】
weixin_55967441的博客
06-09 1万+
当你学习电子基础课程的时候可能会遇到一个术语叫做“漏极开路”。在集成电路中，输出引脚为漏极开路是很常见的。一般芯片的数据手册将对输出管脚说明这一点，在如下功能电路图中，其中输出管脚就采用漏级开路输出模式。 　　 　　漏极开路输出需要接一个上拉电阻（上图中的R），可以利用改变上拉电源的电压，改变输出电平。上拉电阻是接在输出引脚和输出电压（上图中的Vcc）之间，可以获得高电平输出。当内部N沟道场效应管关闭的时候，上拉电阻R会把输出拉到高电平，此时场效应管的漏电流将非常的小。当内部N沟道场效应管导通的时候，它
开漏电路与推挽电路，灌电流与拉电流
我思故我在！
05-24 4039
QT：开源上位机软件，C++ 推挽输出/开路输出 推挽：两个同类型的管子交替导通 如下：当输入为低电平，P型管导通，输出为高电平；当输入为高电平，N型管导通，输出为低电平。反向器。利用推挽电路实现高低电平快速切换，比如驱动LED I/O：相当于单片机的输出端 左图：当输出为高电平，LED亮；电流向外，此时称为拉电流 右图：当输出为低电平，LED亮，电流从外向内，此时为灌电流 无论拉电流/灌电流，都是对于I/O输出特性的描述，平时设计电路时，要考虑。涉及到IO驱动能力。 开漏：漏为M.
开集输出和开漏输出
qq_45796666的博客
08-20 633
如果把LOAD这个负载去掉，即电路中没有负载，那么输入高电平，输出为低电平；，如果把LOAD这个负载去掉，即电路中没有负载，那么输入高电平，输出为低电平；当接入负载之后，输入低电平，电流流经负载；当接入负载之后，输入高电平，电流流经负载；输入低电平，三极管截止，负载无电流流过；，同样分为是否接入负载，不接入负载，输入高电平，输出为高阻态；，同样分为是否接入负载，不接入负载，输入高电平，输出为高阻态；当接入负载之后，输入低电平，电流流经负载；当接入负载之后，输入高电平，电流流经负载；
GPIO推挽输出和开漏输出模式区别详解
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a只如初见的博客
03-29 4万+
以STM32参考手册中的GPIO输出配置图为例： 看到输出驱动器虚线框中的内容，输出驱动器中的P-MOS和N-MOS两个MOS管就是实现推挽输出和开漏输出的关键。推挽输出模式下，P-MOS和N-MOS都正常工作，开漏输出模式下，只有下面的N-MOS工作，上面的P-MOS不工作。 注意：输出模式没有上拉下拉配置。 推挽输出（Push-Pull Output） 推挽输出的结构是由两个三极管或者MOS管受到互补信号的控制，两个管子始终保持一个处于截止，另一个处于导通的状态。电路工作时，两只对称的开关管每次只有一
电子基础知识详解
chengcao123的博客
12-16 1208
MOS管 原理 这是N沟道电路符号，箭头代表电子流动的方向，所以漏极接负 全称：金属氧化物半导体场效应晶体管 原理 1、栅极这里接了正极，就将P里的电子吸引过来了，就形成了N沟道（可以看成是一整块的N型半导体），导通（单独的一个N型半导体是可以导通的）。不然这里有PN节，截止的 P接正的时候导通 上面这这个漏极 2、特性1，MOS管的栅极输入阻抗非常的高，这是因为有绝缘层（红色的是二氧化硅绝缘层，黑色的是金属板）的存在，他几乎完全关闭了电子的通道，造成了他的输入电阻可以达到上亿欧姆。所以说他的输入几
推挽输出与开漏输出结构和原理详解
zhangduang_KHKW的博客
02-23 1万+
目录 1、推挽输出 2、开漏输出 3、推挽输出和开漏输出的特点对比 1、推挽输出 所谓推挽输出模式，是根据这两个MOS管的工作方式来命名的。在该结构中输入高电平时，经过反向后，上方的P-MOS管导通，下方的N-MOS关闭，对外输出高电平；而在改结构中输入低电平时，经过反向后，N-MOS管导通，P-MOS关闭，对外输出低电平。 当引脚高低电平切换时，两个管子轮流导通，P管负责灌电流，N管负责拉电流，使此电路结构的负载能力和开关速度都比普通的方式有很大提高。推挽输出的低电平为0伏，高电平为VD
NPN三极管和N道沟场效应管做开关原理图
最新发布
09-11
NPN型三极管和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）都是可以用来作为开关的电子元件，它们在电路中的工作原理和应用略有不同。 NPN型三极管作为开关时，其基本原理是利用基极电流的控制来开启或关闭集电极和发射极之间的电流路径。NPN三极管开关原理图如下： ``` +Vcc | Rb | |------->|基极(B) | | +------->|集电极(C) | Rc | GND ``` - 当基极通过电阻Rb接收到一个正向偏置电压时，基极电流增大，三极管导通，集电极和发射极之间形成电流路径，三极管处于开启状态。 - 当基极电流消失或者非常小的时候，三极管截止，集电极和发射极之间几乎无电流流过，三极管处于关闭状态。 N沟道MOSFET作为开关时，其基本原理是利用栅极电压来控制源极和漏极之间的导电性。N沟道MOSFET开关原理图如下： ``` +Vdd | |------->|栅极(G) | | +------->|漏极(D) | Rd | GND ``` - 当栅极(G)接收到一个足够高的电压时，MOSFET导通，源极(S)和漏极(D)之间形成电流路径，MOSFET处于开启状态。 - 当栅极电压降至低于阈值电压时，MOSFET截止，源极和漏极之间几乎无电流流过，MOSFET处于关闭状态。
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