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TVS瞬态抑制二极管电路保护产品选型指南 - 赛米微尔-技术支持社区
1、TVS瞬态抑制二极管的工作原理
TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬态电压抑制器,又称雪崩击穿二极管。它是采用半导体工 艺制成的单个PN结或多个PN结集成的器件。TVS有单向与双向之分,单向TVS一般应用于直流供电电路, 双向TVS应用于电压交变的电路。如图1所示,应用于直流电路时单向TVS反向并联于电路中,当电路正常 工作时,TVS处于截止状态(高阻态),不影响电路正常工作。当电路出现异常过电压并达到TVS(雪崩) 击穿电压时,TVS迅速由高电阻状态突变为低电阻状态,泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地,同时 把异常过电压钳制在较低的水平,从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。当异常过电压消失后,TVS 阻值又恢复为高阻态。
TVS 瞬态抑制二极管的伏安特性曲线及相关参数说明如图 2 所示,双向 TVS二极管系列产品的 伏安特性曲线第一象限与第三象限极性相反, 特性相似,如图 3。当 TVS 反向偏置时,TVS 有两种工作模式:待机(高阻抗)或钳制(相对的低阻抗), 如图 2 第三象限。在待机状态下,流过 TVS 的电流称为待机电流(IR)或漏电流,该电流的大小随 TVS 的结温而变化。在 TVS 的伏安特性曲线中,由高阻抗(待机)向低阻抗(钳位)转变是雪崩击穿的开始, 当 TVS 完全雪崩击穿时,TVS 会瞬间把高电压转化为流过其体内的大电流并保持 PN 结两端相对较低的钳 位电压。
2 、TVS瞬态抑制二极管的特点
2.1、TVS内部芯片为半导体硅材料,采用半导体工艺制成,具有较高的可靠性。
2.2、TVS具有较低的动态内阻,钳位电压低。
2.3、TVS较其他过压保护器件,具有较快的响应速度。
2.4、TVS电压精度高,击穿电压一般为±5%的偏差,在特殊应用场合,还可以通过工艺改善或参数筛选达 到更高的精度。
2.5、TVS封装多样化,贴片封装有SOD-123、SMA (DO-214AC)、SMB(DO-214AA)、SMC(DO-214AB)、 DO-218AB等,插件封装有DO-41、DO-15、DO-201、P-600等。
2.6、TVS在10/1000μs波形下瞬态功率可达200W~30000W,甚至更高。在8/20μs波形下瞬态峰值脉冲电 流可达3kA、6kA、10kA、16kA、20kA甚至更高。工作电压范围可从3.3V~600V,甚至更高。
VRWM-截止电压,TVS 的最高工作电压,可连续施加而不引起 TVS 劣化或损坏的最大的直流电压或交流峰 值电压。在 VRWM 下,TVS 呈现高阻态,认为是不工作的,即是不导通的。
IR-漏电流,也称待机电流。在规定温度和最高工作电压条件下,流过TVS的最大电流。TVS的漏电流一般 是在截止电压下测量,对于某一型号TVS, IR应在规定值范围内。
VRWM 和 IR 测试回路如图 7 所示,对 TVS 两端施加电压值为 VRWM,从电流表中读出的电流值即为 TVS 的漏 电流 IR,其中虚线框表示单向 TVS 测试回路。如对于我司型号为 SMBJ5.0A 的 TVS,当加在 TVS 两端的电压 为 5VDC 时,流过 TVS 的电流应小于 800μ A。对于同功率和同电压的 TVS,在 VRWM≤10V 时,双向 TVS 漏电 流是单向 TVS 漏电流的 2 倍。
5.2 VBR 击穿电压
击穿电压,指在V-I特性曲线上,在规定的脉冲直流电流IT或接近发生雪崩的电流条件下测得TVS两端的电压。
对于低压 TVS,由于漏电流较大,所以测试电流选取的 IT 较大,如 SMBJ5.0A,测试电流 IT 选取 10mA。VBR测试电路如图 8 所示,使用脉冲恒流源对 TVS 施加 IT 大小的电流时,读出 TVS 两端的电压则为击穿电压。电流施加时间应不超过 400ms,以免造成 TVS 受热损坏。测量时,VBR 落在 VBR MIN.和 VBRMAX.之间视为合格品。
5.3、 IPP 峰值脉冲电流 /VC 钳位电压
IPP,峰值脉冲电流,给定脉冲电流波形的峰值。TVS一般选用10/1000μ s电流波形(图9)。
VC,钳位电压,施加规定波形的峰值脉冲电流IPP时,TVS两端测得的峰值电压。
IPP 及 VC 是衡量 TVS 在电路保护中抵抗浪涌脉冲电流及限制电压能力的参数,这两个参数是相互联系的。对于 TVS 在防雷保护电路中的钳位特性,可以参考 VC 这个参数。对于相同型号 TVS,在相同 IPP 下的 VC越小,说明 TVS 的钳位特性越好。TVS 的耐脉冲电流冲击能力可以参考 IPP,同型号的 TVS,IPP 越大,耐脉冲电流冲击能力越强。