逻辑延时环节(DLD)

前言

最近一个月围绕着三大课设转圈,生活极其无聊烦闷。但在完成课设中偶尔有一些想法想记录一下,不一定对,仅供参考。有空我都会记录一下做课设的一些简单的想法。下面将要介绍的是运动控制系统课设的一个小东西。

问题

相信大家在学运动控制系统中直流脉宽调速系统中,会碰到逻辑延时环节(下称DLD)。这个东西应该会更早的在电力电子的教材里出现。DLD是用于对互补的PWM方波进行微小的延时,防止H桥桥臂直通现象的出现。

H桥所造成直通示意图如下:
在这里插入图片描述
当红色箭头给的触发脉冲形式如下时,将会造成两个IGBT同时开通而造成直通现象:
在这里插入图片描述
如果施加在同一桥臂的脉冲如上面所示,会发现存在某一时刻两个方波都处于5V高电平,这个时候两个IGBT就会开通。

课件上的DLD

为了解决这个问题,很自然的想法就是如果能在每个方波的上升沿都稍微延迟一点点,就是上升沿有一个很小的死区时间,在这个时间上升沿不跳变,而是等到另一个方波完全跳变为低电平时,才跳变为高电平,这样就可以避免这种现象。

不妨把两个方波命名为1和2,此时方波1为高,方波2为低。过程如下:

  • 方波1跳变为低。
  • 方波2等待方波1跳变为低,再跳变为高。
  • 方波2跳变为低。
  • 方波1等待方波2跳变为低,再跳变为高。
  • 循环。。。

可见,向下跳变的时刻是精确的,而被延时了的是方波的上升沿

我认为课件上的DLD就是使用这个想法设计的,电路如下:
在这里插入图片描述
从上图可见有四路信号,分别经过一个与非门。与非门的两个输入端同时接相同的信号时,相当于对信号取非。原始输入信号为 u 1 u_1 u1,下面是各路信号的过程:

  1. u 1 u_1 u1 取非后为 u 1 ′ u'_1 u1,直通到下一个与非门。
  2. u 1 u_1 u1 取非后为 u 1 ′ u'_1 u1,若 u 1 ′ u_1' u1 为上升沿处,则需要对经过电阻对电容充电,需要大概2倍时间常数跳变为高电平;若 u 1 ′ u'_1 u1为下降沿,电容经二极管直接放电,会得到很陡的下降沿。
  3. u 1 u_1 u1经过两次非门,出来后还是它本身,然后重复信号1的过程。
  4. 重复信号2的过程。

尝试仿真

结合我实际题目的数据试一下用Simulink仿真一波,已知输入的方波为8kHz,仿真电路图如下:
在这里插入图片描述
因为输入方波的周期为 125 μ s 125\mu s 125μs,不妨令上升沿的跳变时间为3倍时间常数,令其为 6 μ s 6\mu s 6μs,那么有 R C = 2 μ s RC = 2\mu s RC=2μs, 不妨令 C = 2 μ F , R = 2 Ω C = 2\mu F, R = 2 \Omega C=2μF,R=2Ω 。仿真的时候记得设置一下下面这个地方:

在这里插入图片描述
solver类型可选变步长或者定步长,如果针对变步长,最好设置Max step size为比较小的值,而且右边的两个tolerance都设置小一点。若是定步长,则取一个较小的步长,起码得比方波的一个周期小上10~100倍。

仿真结果:
在这里插入图片描述
先不说这个波形是否达到互补的要求,首先它的边缘陡度就有问题,按理说阻容的时间常数非常小,而且经二极管放电的回路所需放电时间就更小了,因此无论是上升沿还是下降沿都应该有很好的陡度。我们再看一下电容正极端的电压波形:

在这里插入图片描述
很明显,充电时间和放电时间都远远比我们预想的大,必然在充电和放电回路上都存在一个我们忽视了的大电阻。很自然的,我们想到逻辑门的输出阻抗,检查与非门参数发现,其输出电阻为 25 Ω 25\Omega 25Ω

如何解决这一个问题呢?有两个方法,但实际上只有一个。

  • 直接改simulink器件的output resistance,设为0。
  • 电压跟随器降低输出阻抗。

首先,第一个方法看似简单,但实际操作上不可行,逻辑门电路必然存在一定的输出阻抗,除非有技术能把它做得很低。但实际上更常见的方法是使用增加电路的方法降低输出阻抗,比如使用电压跟随器,这个电路作为缓冲电路有高输入阻抗,低输出阻抗的特性,可以把输出阻抗做的很低,我们尝试假如电压跟随器改进。

在这里插入图片描述
这时可以改动运放的输出电阻了,电压跟随器的输出电阻可以做的很低:
在这里插入图片描述
这个时候我们再查看电容正端的波形:
在这里插入图片描述
从这个波形看,我们可以知道我们离成功不远了。

新问题的出现

然而我们以为成功的时候,信心满满地点击输出PWM的示波器,却发现如下结果:

在这里插入图片描述
立即发现,这个波形延时的地方不对。我在上面提到过,要延时的是上升沿部分,而精确的是下降沿。但我们发现,这里刚好相反,下降沿反而有一段延时时间,导致正好两个方波都有交叠的地方。

其实大家再次分析我在上面写的信号变化过程,就会发现问题所在。当信号上升沿被延时后,却和未延时的信号作与非操作,出来的信号上升沿被延时的部分反而变成了下降沿的拖尾,这就是出现上面问题的原因。

其实我们只需要做一个很小的改动,不是说与非门引起的问题吗?我们改成与门不就好了?我们立即尝试一下:

在这里插入图片描述
果不其然,我们就成功了。不过对死区时间的精确设置,还有待讨论。。。

结论

  • 上面提到的DLD应该是某本老教材给出的实现方式吧,但实际仿真却会存在这样的问题,我认为这个电路可能没有经过实际落地检验的。
  • 不论是单极性PWM还是双极性,只要需要互补方波和H桥的场合都应该考虑直通现象。
  • 如今集成驱动电路,经过查阅资料,如IR2103这种驱动器件,本身自带了死区延时的功能,因此其实并不需要DLD的存在了。
  • 给出我最终的电路实现方式:
    在这里插入图片描述
  • 5
    点赞
  • 11
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 1
    评论
好的,我来详细说明一下Axis Ultra DLD的各个部件的作用。 1. X射线光源: X射线光源是Axis Ultra DLD的核心部件之一,它可以产生高能X射线光束。这个光源通常由一个高压X射线管、一个阴极和阳极组成。当高压电流通过X射线管时,它会在阴极和阳极之间产生强烈的电子流,这些电子与阳极相撞时会产生X射线。 2. 传输透镜: 传输透镜是用于聚焦和调节X射线束的光学元件。它可以使X射线束变得更加精细,从而提高仪器的分辨率和检测灵敏度。 3. 能量分辨器: 能量分辨器是用于将X射线分离成不同能量段的仪器。它通常由一个晶体和一个探测器组成。当X射线经过晶体时,它会发生衍射,不同能量的X射线会被衍射到不同的方向,这些X射线最终会被探测器捕获和分析。 4. 检测器: 检测器是用于检测和记录X射线光谱的仪器。它通常由一个能够检测X射线的探测器和一个信号放大器组成。当X射线通过样品时,它会被探测器捕获并转化为电信号,信号放大器会将这些信号放大并记录下来。 5. 深度剖析离子枪: 深度剖析离子枪是用于表面分析和深度分析的仪器。它可以通过将离子轰击样品表面来产生表面化学分析和深度剖析。 6. 样品台: 样品台是用于支撑和定位样品的平台。它可以通过机械手臂控制样品的位置和姿态,从而使样品能够被准确地分析。 7. 真空系统: 真空系统是用于将仪器内部的气压降低到极低的压力,从而减少气体分子的干扰和样品的污染。真空系统通常由一个真空泵和一些真空阀门组成。 8. 可选附件: Axis Ultra DLD还可以根据需要配备一些可选附件,例如样品加热器、样品冷却器、样品旋转器等,以满足不同的分析需求。

“相关推荐”对你有帮助么?

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值