MOSFET、 IGBT栅极电阻Rg计算

栅极电阻Rg的作用

1、消除栅极振荡

       MOSFET、IGBT的栅源（栅射）级之间是容性结构，栅极回路的寄生电感又是不可避免的，如果没有栅极电阻，那栅极回路在驱动器驱动脉冲的激励下要产生很强的振荡（无阻尼或欠阻尼），因此必须串联一个电阻加以迅速衰减（过阻尼）。

2、转移驱动器的功率损耗

        电容电感都是无功元件，如果没有栅极电阻，驱动功率就将绝大部分消耗在驱动器内部的输出管上，使其温度上升。

3、调节功率开关器件的通断速度

        栅极电阻小，开关管通断开，开关损耗小。但驱动速度过快将使开关管的电压和电流变换率大大提高，从而产生较大的干扰，严重的将使整个系统无法工作，因此必须统筹兼顾。

栅极电阻Rg的计算

通过Ciss=Cgs+Cgd，Crss=Cgd，Coss=Cgd+Cds，可以计算出Cgs

LC谐振频率可以通过示波器测出f，其中，将Cgs代入可以求出L,然后通过来计算R的取值范围。

因为MOSFET内部含有内阻Rgi(约1.5Ω)，驱动芯片有输出电阻Rhi,所以栅极内阻Rg=R-Rgi-Rhi

最后电阻的功率计算可以采用U*U/R，来选择封装。

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