碳化硅(SiC) 新一代半导体材料，打开新能源车百亿市场空间

碳化硅：前途光明的第三代半导体材料。我们认为下游电力电子领 域向高电压、高频等趋势迈进，碳化硅材料的特性决定了它将会逐 步取代传统硅基，打开巨大的市场空间。由于碳化硅产业链涉及多 个复杂技术环节，将会通过系列报告形式对其进行完整梳理。 

第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息 技术发展的基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要 求，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料逐渐进入产业化 加速放量阶段。相较于前两代材料，碳化硅具有耐高压、耐高温、 低损耗等优越性能，广泛应用于制作高温、高频、大功率和抗辐射 电子器件。 

国外厂商多以 IDM 模式布局，国内企业专注单个环节。碳化硅产 业链依次可分为：衬底、外延、器件、终端应用。国外企业多以 IDM 模式布局全产业链，如 Wolfspeed、Rohm 及意法半导体 （ST），而国内企业则专注于单个环节制造，如衬底领域的天科合 达、天岳先进，外延领域的瀚天天成、东莞天域，器件领域的斯达 半岛、泰科天润。 

新能源车领域将会为 SiC 功率器件带来巨大增量。在新能源车上， 碳化硅器件主要使用在主驱逆变器、OBC（车载充电机）、DC-DC 车载电源转换器和大功率 DCDC 充电设备。随着各大车企相继推出 800V 电压平台，为满足大电流、高电压的需求，电机控制器的主 驱逆变器将不可避免的由硅基 IGBT 替换为 SiC-MOS，带来巨大增 长空间。 碳化硅功率器件能提高光伏逆变器转换效率，减少能量损耗。光 伏发电方面，目前基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统 10%左 右，却是系统能量损耗的主要来源之一。使用 SiC-MOS 为基础材料 的光伏逆变器，转换效率可从 96%提升至 99%以上、能量损耗降低 50