Virtuoso IC618-二级运放电路设计

Leon在努力啊

于 2024-05-24 10:28:50 发布

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文章标签：硬件工程射频工程 proteus

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二级运放电路设计

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Gm1为差分输入级PM0，PM1的跨导，g02,g04为PM2，NM4的阻抗

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根据饱和电流公式，需要先通过MOS管的V/I特性曲线求出Kn.通过扫描Vgs得出电压-电流关系图，根据得到的数据列出对应的方程。

依次扫描vgs(0.8-1.2),取vds=1v,1.5v下的数据
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同NMOS

仿真的输入电V压3.3V，VGS设定为变值，根据扫描的两组I-V仿真数据得到得曲线可以计算出该工艺下的栅氧参数。

首先，根据性能指标来分析，使运放增益达到70dB，本次采用二级结构的设计。第一级采用五管运放机构，第一级的增益可以轻松达到40db左右；第二级增益级采用共源放大级，让NMOS作放大级，PMOS作电流源负载。两级结构的结合是的增益可以轻松达到70dB。

采用PMOS作为差分输入段，首先从噪声角度分析来看，PMOS管的噪声本来来说比NMOS噪声要低。负载端是一个NMOS电流镜结构，保持两路的电流相等，但也带来了较大的1/f噪声，所以尽可能使这两个NMOS管的L长一点。

在第一级和第二级加入RC频率补偿电路，也有一点滤波效果。补偿电容的加入可以主极点往后拉远离次级点，这样可以使电路稳定性更好。电阻使用一个PMOS管来代替，使其工作在线性区可以充当电阻来使用。

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