二级运放电路设计
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性能参数指标
VDD | 3.3V |
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VSS | 0V |
偏置电流 | 10uA |
静态功耗 | ≤1mW |
开环增益 | ≥70dB |
相位裕度 | ≥60° |
单位增益带宽 | ≥40MHz |
共模抑制比 | ≥60dB |
输入失调电压 | ≤0.5mV |
转换速率 | ≥30V/us |
1.增益
Gm1为差分输入级PM0,PM1的跨导,g02,g04为PM2,NM4的阻抗
2.NMOS/PMOS管I/V特性曲线
根据饱和电流公式,需要先通过MOS管的V/I特性曲线求出Kn.通过扫描Vgs得出电压-电流关系图,根据得到的数据列出对应的方程。
NMOS-V/I
依次扫描vgs(0.8-1.2),取vds=1v,1.5v下的数据
PMOS-V/I
同NMOS
仿真的输入电V压3.3V,VGS设定为变值,根据扫描的两组I-V仿真数据得到得曲线可以计算出该工艺下的栅氧参数。
3.理论分析
3.1运放增益
首先,根据性能指标来分析,使运放增益达到70dB,本次采用二级结构的设计。第一级采用五管运放机构,第一级的增益可以轻松达到40db左右;第二级增益级采用共源放大级,让NMOS作放大级,PMOS作电流源负载。两级结构的结合是的增益可以轻松达到70dB。
3.2噪声分析
采用PMOS作为差分输入段,首先从噪声角度分析来看,PMOS管的噪声本来来说比NMOS噪声要低。负载端是一个NMOS电流镜结构,保持两路的电流相等,但也带来了较大的1/f噪声,所以尽可能使这两个NMOS管的L长一点。
3.3频率补偿
在第一级和第二级加入RC频率补偿电路,也有一点滤波效果。补偿电容的加入可以主极点往后拉远离次级点,这样可以使电路稳定性更好。电阻使用一个PMOS管来代替,使其工作在线性区可以充当电阻来使用。