IRF530NPBF-VB_MOSFET产品应用与参数解析

型号  IRF530NPBF丝印  VBM1101M品牌  VBsemi参数说明 - MOSFET类型  N沟道- 额定电压(VDS)  100V - 额定电流(ID)  18A - 开通电阻(RDS(ON))  127mΩ@10V, 132mΩ@4.5V - 阈值电压(Vth)  2~4V - 封装类型  TO220

应用简介 这款IRF530NPBF MOSFET是一款高电压N沟道MOSFET，适用于高压应用场景。它具有较高的额定电压和较大的电流承载能力，适用于高功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 - 电源管理模块 适用于高压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等高功率电源模块。- 高功率电机控制模块 用于高压高功率直流电机驱动、步进电机驱动等电机控制模块。- 高压照明模块 适用于高压高功率照明驱动和控制模块。- 高压工业控制模块 适用于高压工业控制系统的功率开关和控制模块。总之，IRF530NPBF MOSFET适用于需要高电压高功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的大电流控制和功率转换功能，特别适用于高压高功率应用的模块。