IRFP4668PBF TO-247 N沟道MOS管200V130A 规格参数资料

IRFP4668PBF 是由英飞凌科技公司生产的一款 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET。

IRFP4668PBF规格信息：
封装/外壳：TO247
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：9.7 毫欧 @ 81A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：241nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：10720pF @ 50V
功率耗散（最大值）：520W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
系列：HEXFET®
FET类型：N 沟道
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：130A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：241nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：10720pF @ 50V
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：9.7 毫欧 @ 81A，10V
封装形式Package：TO-247AC
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：200V
连续漏极电流ID：130A
供应商器件封装：TO-247AC

是一款高性能的N沟道功率MOSFET，主要功能包括：
 1. 高电压操作：能够承受200V的漏源电压（Vds），适用于高压电力电子应用。
 2. 低导通电阻：在栅源电压（Vgs）为10V时，其导通电阻（Rds(on)）仅为8毫欧，这有助于降低导通损耗，提高效率。
 3. 快速开关：具有快速开关特性，适合用于开关电源、不间断电源（UPS）、高速电源开关以及硬开关和高频电路中的高效同步整流。
 4. 改善的栅极结构：优化的栅极设计提高了器件的坚固性和可靠性。
 5. 雪崩特性：具有增强的雪崩能力，能够在一定条件下吸收反向电压产生的能量，保护器件不受损坏。
 6. 动态dV/dt坚固性：增强了体二极管对电压变化率（dV/dt）和电流变化率（dI/dt）的耐受能力，提高了在高频开关应用中的稳定性。
 7. 工作温度范围宽：可在-55°C至175°C的结温范围内工作，适应各种极端环境。
 8. 符合AEC-Q101汽车工业标准：适用于需要高质量和增强型保护功能的设计，如汽车电子系统。
 总之，IRFP4668PBF是一款适用于高电压、大电流、快速开关应用的功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器和其他电力电子设备中。

在使用 IRFP4668PBF 功率 MOSFET 时，需要注意以下关键参数以确保安全和最佳性能：
 1. **漏源电压 (Vds)**：这是 MOSFET 能够承受的最大电压差。对于 IRFP4668PBF，该值为 200V。超过这个电压可能会导致器件损坏。
 2. **连续漏极电流 (Id)**：这是 MOSFET 能够连续承载的最大电流。对于 IRFP4668PBF，该值为 130A。在实际应用中，应确保工作电流不超过这个值，以免过热或损坏器件。
 3. **导通电阻 (Rds(on))**：这是 MOSFET 在导通状态下的电阻，通常在 Vgs = 10V 时测量。对于 IRFP4668PBF，该值为 8mΩ。较低的 Rds(on) 可以减少导通损耗，提高效率。
 4. **栅极至源极电压 (Vgs)**：这是控制 MOSFET 导通和关断的电压。对于 IRFP4668PBF，Vgs 的范围是 ±30V。过高或过低的 Vgs 都可能导致器件无法正常工作。
 5. **阈值电压 (Vgs(th))**：这是使 MOSFET 开始导通所需的最小栅极电压。对于 IRFP4668PBF，该值为 5V@250uA。了解这个参数有助于正确设计驱动电路。
 6. **栅极电荷 (Qg)**：这是栅极电容充电和放电所需的电量，影响开关速度和开关损耗。对于 IRFP4668PBF，Qg 为 241nC@10V。
 7. **输入电容 (Ciss)**：这是 MOSFET 的寄生电容之一，影响开关速度和抗噪声能力。虽然具体数值未提供，但 Ciss 的特性在数据手册中有全面描述。
 8. **工作温度范围**：这是 MOSFET 能够安全工作的温度范围。对于 IRFP4668PBF，该范围是 -55°C 至 175°C。超出这个范围可能会导致性能下降或器件损坏。
 9. **功率耗散 (Pd)**：这是 MOSFET 在工作时能够散发的最大功率。对于 IRFP4668PBF，在 25°C 时该值为 520W。在实际应用中，应确保散热良好，以防止器件过热。
 在设计电路和选择驱动器时，还需要考虑 IRFP4668PBF 的开关速度、雪崩能力和动态特性。确保所有这些参数都在允许范围内，可以最大限度地提高电路的性能和可靠性。

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