SDRAM中自刷新操作与PHY中Retention功能的关系

1 SDRAM中自刷新操作（摘自JESD79-3F）

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在部分系统已经处于Power Down状态时，SDRAM的自刷新模式可帮助SDRAM存储阵列中的数据保持正确。当SDRAM处于自刷新模式时，SDRAM不需要外部时钟就可以保持数据正确。SDRAM内部存在一个计数器，用来实现自刷新操作。在时钟的上升沿，自刷新进入命令（SRE）是由CS#,RAS#,CAS#以及CKE保持低电平，且WE#信号保持高电平组合实现。
在SDRAM进入自刷新模式之前，所有的BANK都必须完成预充电命令并处于IDLE状态，且tRP时间也需要满足。IDLE状态即所有的BANK都处于关闭状态（满足tRP、tDAL时间)，没有数据正在进行访问，CKE处于高电平，之前所有命令的时序参数都已经满足（例如tMRD, tMOD, tRFC, tZQinit,tZQoper, tZQCS等）。同样，在开启自刷新之前所有的终端电阻都需要被关闭。关闭终端电阻的方式由将ODT引脚拉低，并在SRE之前保持ODTL+0.5tCK，或者是通过配置MR1寄存器来关闭终端电阻。一旦SRE命令被SDRAM锁存接受，CKE信号必须在整个自刷新模式中都保持低电平。在普通操作中（DLL on），MR1（A0=0），在SRE命令时DLL自动关闭，在SRX命令时DLL自动复位重启。
当SDRAM进入自刷新模式时，所有外部引脚除了CKE与RESET#之外，都是不关心的。为了更多的自刷新操作，所有的供电与地都必须保持有效状态，这些引脚包括VDD, VDDQ, VSS, VSSQ, VRefCA 以及VRefDQ。在自刷新模式中，VRefDQ可以被关闭，或是出于VDD与VSS中的任意值。但是，在CKE拉高之前，VRefDQ必须恢复到高电平位置并保持稳定。Write Leveling的第一个写命令激活时间不得早于SRX命令后的512个CK周期时间之内。在进入自刷新模式之后的tCKE时间内，DRAM内部至少会发送一次刷新命令。
为了节省功耗，在自刷新模式中SDRAM内部会关闭时钟。DDR3 SDRAM保持在自刷新模式的最小时间为tCKESR。用户可在SDRAM锁存SRE命令的tCKESR时间之后，改变时钟周期或者是停止时钟。但是，在退出自刷新的SRX命令之前的tCKESRX时间之前，外部时钟必须重新供给并保持稳定。
退出自刷新时，SDRAM需要完成一系列的事件。
1、在CKE回到高电平之前，外部时钟必须保持稳定。
2、一旦SDRAM锁存了SRX命令，在tXS时间之内，可向SDRAM发送无需DLL锁定的命令࿰