《炬丰科技-半导体工艺》 石墨烯基面上的各向异性蚀刻效应

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：石墨烯基面上的各向异性蚀刻效应
编号：JFKJ-22-1706
作者：华林科纳

在本文中，讲了一种干法各向异性刻蚀石墨和石墨烯的方法，能够通过调整蚀刻参数，如等离子体强度、温度和持续时间，从边缘控制蚀刻，蚀刻过程归因于碳原子的氢化和挥发，蚀刻动力学与甲烷形成一致，这种简单、干净、可控且可扩展的技术与现有的半导体处理技术兼容。
各向异性蚀刻首先应用于石墨，因为它由堆叠的石墨烯层组成，将具有新劈开表面的石墨样品暴露于纯氢等离子体中进行蚀刻，新鲜石墨表面的原子力显微镜(AFM)图像(图1a)显示了许多阶梯状边缘，图1 b和1 c显示了分别用50和100 W的等离子体功率蚀刻后石墨表面的两个典型AFM图像，蚀刻后，石墨表面的形貌特征明显不同——在晶界处形成沟槽，更重要的是，在石墨基面上形成六边形凹坑，这些规则的六边形凹坑在整个晶粒上具有相同的取向，是石墨基面各向异性蚀刻的明显标志，因为石墨晶体具有关于的六重旋转对称性。
蚀刻速度与温度有关(图1d)；它随着温度的增加而增加，在≈450°C时达到峰值，然后在≈700°C时减小到零，这里的“蚀刻速度”是指石墨基底平面的最大蚀刻速度，由最大的蚀刻六角形坑估算，图1e为不同时间间隔下石墨基面的平均蚀刻速度所示，在相同的蚀刻条件下，它们显示了一个恒定的蚀刻速度，与时间无关。

蚀刻后SiO 2衬底上单层、双层和多层石墨烯的典型AFM图像如图