紫外荧光在晶圆表面清洁分析中的应用

华林科纳123

于 2022-03-10 20:30:00 发布

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文章标签：趋势科技

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紫外荧光(UVF)是检测硅片表面金属杂质的有效方法，具有低检测限、多元素同时分析和高灵敏度。实验表明，UVF能用于评估VLSI晶片在实际工艺中的清洁性能，特别是对铁、铜、镍和钠的检测。通过测量荧光峰强度，可以评估硅片清洁度，并与金属杂质浓度和注入剂量关联。

摘要由CSDN通过智能技术生成

引言

紫外荧光(UVF)是一种新颖而通用的检测硅片表面金属杂质污染的方法。我们证明了UVF在硅片加工中污染控制的有效性。实验显示了室温下铁、铜、镍、钠等主要特征峰。与其他表面敏感技术相比，UVF的主要优势是低检测限、多元素同时分析和高灵敏度。

每个晶圆加工步骤都是潜在的污染源，可能导致缺陷形成和器件故障。晶片清洗必须在每个处理步骤之后和每个高温操作之前进行。一些金属杂质，如铁、铜、镍和钠，可能会在某些加工步骤中掺入硅片，如热氧化、反应离子蚀刻和离子注入。到目前为止，还没有任何可用的方法来同时检测铁和钠的污染。在此，我们首次报道了一种新的技术：紫外荧光(UVF )，它可以作为一种快速的、实际上无需制备的无损检测方法，用于评估VLSI晶片在实际工艺中的清洁性能。

实验

样品用记录荧光光度计测量。光源是氙气。测量系统完全由计算机控制，可以研究直径达6英寸的晶片。晶片上的测量面积可以在大约1×1和5×5 cm²之间变化。激发荧光单色仪的光栅常数为900/mm。它们对波长的测量精度可以达到2纳米以下。注入的紫外光束只透过硅表面约30纳米。所有测量都是在硼注入直拉(Cz)和浮动区(FZ)晶圆（直径3-6英寸）上进行的。所研究样品的硼浓度范围约为104-106cm-