高阶的Pre-Gate清洁评估

摘要

    为了满足更严格的晶圆清洁度要求、新出现的环境问题和更严格的成本效益标准，晶圆清洁技术正慢慢远离传统的基于RCA的工艺。本文比较了在同一个湿式台架上进行的不同先进预浇口清洗工艺的清洗效率。稀释RCA、稀释动态清洁(基于HF/臭氧的工艺)和AFEOL(稀释SC1、HF和臭氧化学的组合)根据金属和颗粒去除性能和主要表面特性(表面粗糙度和少数载流子寿命)进行评估。还研究了硅和氧化物的消耗。对图案化的栅极氧化物结构进行电评估，并且将使用优化配方的分割批次的电结果与使用常规RCA工艺获得的电结果进行比较。这三种先进清洁工艺的稳健性已得到明确确立，我们证明它们的性能至少与标准RCA相同。

介绍

     栅极前清洗被一致认为是控制薄栅极氧化物完整性的关键参数之一，因此也是最终器件性能和产量的关键参数之一。然而，尽管工艺要求越来越严格，多种形式的RCA清洗]仍然是全球集成电路制造中FEOL清洗顺序的首选。原因很简单:浓缩的NH4OH/ H2O2/ H2O混合物(SC1)在去除颗粒方面表现很好，HCl/ H2O2/ H2O混合物(SC2)在去除金属污染物方面也表现很好。

    华林科纳提出了一种稀RCA，并讨论了它在湿式台架上的实现。我们介绍了DDC的最新技术进展。我们还引入了一种新的先进的生产线前端清洗技术，即AFEOL，它由氟化氢-臭氧和稀释SC1化学组成(人们可以称之为dRCA和DDC工艺之间的中间方法)。

结果和讨论

颗粒污染物去除

    在SC1化学中，颗粒通过NH4OH/ H2O2混合物的连续氧化和蚀刻作用被去除，这些化学物质的比例是关键参数，因为它决定了颗粒所附着的表面层的化学溶解速率(欠蚀刻机理)。在优化稀SC1溶液的同时，NH4OH/ H2O2的比例保持不变，这已被证明导致硅和二氧化硅的类似蚀刻行为高达0.25/1/500。在