湿台清洗中颗粒去除的新概念

摘要

对于亚微米或深亚微米 ULSI 的制造，完全抑制在硅晶片表面产生的颗粒和污染非常重要。清洁需求的传统概念是使用化学成分（APM、氨和过氧化氢混合物）发挥主要作用。不幸的是，SC-1 (APM) 对表面损伤有负面影响。近年来，它已被修改为加入更稀的溶液，以减少由氢氧化铵引起的表面微观粗糙度。在本文中，提出了一种新思路，即使用去离子水快速倾倒冲洗 (QDR) 模式从对话设置转变为改进模式。使用 DIW 进行修改的修改配方可以在加工过程中完全去除颗粒。

介绍

随着半导体器件特征尺寸的不断缩小。需要了解颗粒去除机制并认识到其优点和局限性。在本文中，一些粒子去除模型被修改为能够去除软粒子变形。研究了改进的 RCA 晶片清洗，使用/不使用兆声波能量增强和各种冲洗技术，用于深亚微米半导体器件制造。

对湿法清洁的需求，提出用于半导体工艺的无颗粒基板变得越来越重要。随着半导体器件的缩小，硅和二氧化硅衬底对污染的敏感性增加。特别是在亚微米和深亚微米超微集成电路的制造过程中，基板的表面微结构和表面清洁度将增加其对器件性能和可靠性至关重要的重要性。本文还介绍了一项综合研究，使用表面分析和检测技术来测试各种清洁配方下的颗粒去除率，包括 (1) Mega-sonic-on 和 (2) 快速转储冲洗 (QDR) 模型。

背景

随着半导体器件按比例缩小，超清洁表面变得更加重要。在器件制造中，传统的 RCA 清洗工艺和稍微改变的工艺在过去的三年中一直在使用. 对用于半导体加工的清