通过电化学蚀刻实现的薄膜倒装芯片UVB LED

紫外线(UV)光源用于许多应用，例如水消毒、紫外线固化和光疗。紫外发光二极管因其外形小巧、坚固耐用、环保材料和可选择的发射波长，有望取代传统的紫外光源，如汞气体放电灯。然而，对于短于350纳米的波长，紫外发光二极管的功率转换效率低于10%，强烈限制了它们的广泛使用。限制功率转换效率的主要因素之一是光提取效率，这可以通过薄膜倒装芯片(TFFC)设计来改进。

用于衬底去除的AlGaN热分解的替代方案是掺杂选择性电化学蚀刻。这已经被用于横向蚀刻氮化镓和低铝组成的AlGaN层，用于制造在蓝色区域发光的薄膜发光二极管，第三族氮化物膜的转移，和光子晶体结构的制造。电化学蚀刻对加工设备要求低，可以使用标准电镀工具完成。这与基于带隙选择性吸收的光电化学蚀刻形成对比。因此，光电化学蚀刻需要更复杂的设置和特定波长的均匀照明。对于光电化学蚀刻来说牺牲层和器件层不仅要像在电化学蚀刻中那样根据选择性电流流动来设计。

UVB发光二极管的外延层结构包括电化学蚀刻所需的层，如图1所示。该结构是在一个3×2英寸的紧密耦合的喷淋式反应器中使用标准前体三甲基铝(TMAl)，三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)和氨(NH3)，其中氢气或氮气作为载气。硅烷(SiH4)用作n-掺杂剂源，环戊二烯基镁(Cp2Mg)用作p-掺杂剂。首先，用AlN/AlGaN超晶格生长在氮化铝/蓝宝石衬底，随后是硅浓度为21018cm-3的4 lm厚的弛豫硅掺杂Al0.5Ga0.5N层，以完成准衬底。在此之后，硅浓度为21019cm-3的130 nm厚的铝0.37Ga0.63N:硅牺牲层被夹在硅浓度降低为0.51018cm-3的两个240 nm厚的铝0.5Ga0.5N:硅蚀刻停止层之间。最重要的是生长了发光二极管用硅电流扩散层。