臭氧化去离子水去除最终抛光晶片上的颗粒

摘要

本研究开发了一种低拥有成本的臭氧去离子水清洗工艺。室温下40 ppm的臭氧浓度用于去除有机蜡膜和颗粒。仅经过商业脱蜡处理后，仍残留有厚度超过200的蜡残留物。由于臭氧的扩散限制反应，代替脱蜡器的DIO3处理在8000的厚蜡层上显示出低去除率。脱蜡器与DIO3漂洗相结合，以减少蜡去除时间并完全去除蜡残留物。用DIO3漂洗代替去离子漂洗导致表面接触角小于5°，这表明不需要进一步的清洗步骤。通过将SC-1清洗步骤与DIO3漂洗过程相结合，进一步提高了颗粒去除效率。通过在脱蜡过程中引入DIO3清洗，缩短了处理时间。

实验

图1显示了作为臭氧气体压力和臭氧气体浓度的函数的去离子水中溶解的臭氧浓度的变化。在相同的臭氧气体浓度下，较高的臭氧气体压力对较高的DIO3浓度更有效。当O3气体压力过高时，O3气体由于过多产生气泡而不能有效溶解在去离子水中。优化的臭氧气体压力用于在最大溶解臭氧浓度下最小化气泡的产生。使用反射计(TE-2000，K-MAC)测量蜡膜的厚度。使用静态接触角分析仪观察表面润湿性。光学显微镜(LV100D，尼康)和傅里叶变换红外光谱(FTX-6000，Bio-Rad)用于分析清洗后晶片上的颗粒和蜡残留物。表面粒子扫描仪(Surfscan-6200，Tencor)用于测量清洗后晶片表面的粒子数量。

图1.溶解臭氧浓度随臭氧气体压力和浓度的函数

结果和讨论

各种溶剂处理：测试脱蜡器和水溶性溶剂以除去有机蜡。改变水溶性脱蜡剂的浓度以评估蜡膜的去除速率。尽管脱蜡器能有效地除去稠的有机蜡，但很难完全除去有机蜡。在40 : 1脱蜡溶液