晶圆高效干燥的方法

传统湿法清洗后,使用超临界二氧化碳干燥法可以有效避免半导体的stiction问题。研究发现,超临界二氧化碳在40℃、140bar条件下能显著减少IPA残留,提高长宽比,减少静摩擦力。通过对比不同流量、温度和压力,证实较低温度和较高压力能提高IPA去除效率,进一步提升半导体制程质量。
摘要由CSDN通过智能技术生成

传统湿法清洗工艺在新一代半导体制作中具有根本的局限性,而湿法清洗后利用超临界二氧化碳的干燥法是克服这一局限性的替代方法,考察了超临界干燥法作为中间置换溶剂对IPA的二氧化碳溶解度。

首先为了比较,采用超临界二氧化碳的干燥方法与传统湿法干燥方法,将IPA中的蚀刻试样之一置于自然状态,另一试样在40℃、140bar条件下超临界二氧化碳, 4分钟后用SEM观测,并观察了IPA的stiction程度,其长宽比增长率为2.5,最大长宽比为37.5的示例,长宽比15后均可见下支撑体粘附现象,但是用超临界二氧化碳,可以看到长宽比没有stiction到最大长宽比由于用最大长宽比为37.5的示例很难判断超临界二氧化碳的效果,所以用最大长宽比为75的示例2观察了不同时间、不同压力、不同温度的效果。

为了了解悬臂梁在不同流动时间下的静摩擦力程度,对不同流动时间分别进行了6分钟、8分钟、10分钟和12分钟的实验,结果表明:6分钟时高宽比为30,8分钟时为45,10分钟时为55,12分钟时为65,可见悬臂梁不发生坍塌,这使得flow时间越长,IPA的去除量越大,结构的stiction就越小。(图1)在此基础上对IPA各内部余量的长宽比进行了比较分析, 基于前面使用VOC的数据,当室内余量为850ppm时,长宽比为37.5,当407.8 ppm时,长宽比为45,当230.6 ppm时,长宽比为65。

图1

该结果表明,IPA内部余量的减少,表

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