TMAH溶液进行化学蚀刻后晶体平面的表征

本文提出了一种将垂直氮化镓鳍式场效应晶体管中的鳍式沟道设计成直而光滑的沟道侧壁的新技术。因此，详细描述了在TMAH溶液中的氮化镓湿法蚀刻；我们发现m-GaN平面比包括a-GaN平面在内的其他取向的晶面具有更低的表面粗糙度。还研究了沟道底部的沟槽和斜面(长方体)，搅动长方体的去除或晶面刻蚀速率的提高。最后，研究了有无紫外光照射下，紫外光对三甲基氯化铵中m和a-GaN晶面刻蚀速率的影响。因此，发现用紫外光将m-GaN平面蚀刻速率从0.69纳米/分钟提高到1.09纳米/分钟；在a-GaN平面蚀刻的情况下，紫外光将蚀刻速率从2.94纳米/分钟提高到4.69纳米/分钟。

图1

湿蚀刻法被用来揭示通道侧壁上的晶体平面，制造过程如图1所示，本实验采用金属有机化学蒸汽沉积法(MOCVD)在蓝宝石基质上生长的7微米厚的氮化镓外层晶片，这个正方形样品的大小是1厘米×1厘米。为此制作了180个15×2µm2尺寸的手指（图2）。

图2

制造过程首先是在晶片上沉积一个1µm厚的二氧化硅(PECVD)层，作为一个掩模,然后用PMMA9%抗蚀剂进行电子束光刻技术,二氧化硅使用CF4/He混合气体的干蚀刻进行蚀刻，将图案从抗蚀剂转移到二氧化硅掩模,最后，使用TMAH溶液进行氮化镓湿式蚀刻。

通过电子束蒸发沉积的厚度分别为20纳米/350纳米/30纳米的钛/金/镍金属叠层，所研究的图案具有星形形