《炬丰科技-半导体工艺》湿法处理后的晶片漂洗仿真实验

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：湿法处理后的晶片漂洗仿真实验 

编号：JFKJ-21-166

作者：炬丰科技

摘要  

  在半导体制造业，大量超纯水是用来冲洗晶片的，经过湿化学处理，去除表面的离子污染物。 伟大的关注的是污染物在狭窄的(几十纳米)，高纵横比(5:1到20:1)  特征(沟槽、通道和接触孔)。 国际技术路线图半导体规定离子污染水平要降到 1010个原子/平方厘米。 了解漂洗过程中的瓶颈将使节约冲洗用水。一个综合的过程模型初步预测了带图案SiO2衬底上窄结构的漂洗动力学摘要选用清洁。 该模型考虑了各种质量输送的影响机制，包括对流和扩散/扩散，同时发生具有各种表面现象，如杂质的吸附和解吸。体块和表面带电物种的影响，以及它们的感应电影响运输和表面相互作用的领域，已经被处理。 建模结果表明，脱附率对漂洗效果有很大影响吸附污染物，污染物的传质从特征口到体积液体，沟槽纵横比。检测冲洗终点是另一种节约用水的方法湿处理后漂洗。 电化学阻抗的适用性用光谱法监测含铜和不含铜HF处理的硅的漂洗情况探讨了污染物。 在第一项研究中，影响表面状态的性质研究了硅带、耗尽或积累对洗涤速率的影响。 实验结果表明，硅的状态直接影响漂洗动力学离子吸附的调制。 在第二项研究中，硅被故意污染通过在HF中加入铜离子，在稀盐酸中清洗，然后冲洗，整个接着进行连续阻抗测量。测量阻抗不同阶段的数值与硅表面的性质相关，如用扫描电子显微镜和电感耦合等离子体对其进行了表征质谱法。

介绍  

  用于控制电子设备的集成电路是由数十亿个部件组成的 通过半导体使用不同材料的晶体管、电容器和绝缘体制造过程。 以降低单位成本，提高性能的集成电路，晶体管以及其他元件的尺寸减小到最大限度地增加每个IC的晶体管数量和每个晶圆的IC数量。 在1965年,戈登·摩尔曾预测，单片集成电路上的晶体管数量每增加一倍; 这就是所谓的摩尔定律。 1975年，摩尔对进行了修改翻倍的速度是每两年，而不是每年。 2015年6月，英特尔一家领先的半导体制造公司中，陈述了微处理器采用英特尔14纳米逻辑翅场效应晶体管技术每个芯片上有十亿或更多的晶体管。 最小特征尺寸的缩放为极具挑战性，需要材料和制造工艺的创新。其中一个关键问题是生产过程中产生的污染，  

这很容易降低产量。 例如，14纳米的导电污染物可以短两条金属线在14纳米技术节点制造。  

本文还讲述了流控制，冲洗水温度，类型的晶片等问题