三星nand flash之TLC Program和nand flash结构的理解

654654654654654

已于 2022-07-15 12:31:21 修改

阅读量2.9k

点赞数 1

文章标签： linux 运维服务器

于 2021-11-29 13:35:57 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/hpx12345678/article/details/121602100

版权

本文详细解析了NAND Flash的TLC编程过程，包括Word Line（WL）的概念和作用，以及SLC、MLC、TLC在WL上的数据存储差异。同时介绍了NAND Flash的内部结构，如数据寄存器、缓冲寄存器在数据交互中的角色，以及关键时间参数如tR和tDCBSYR。

摘要由CSDN通过智能技术生成

这是一个nand flash的指令操作表在这里插入图片描述
这是一个TLC的写的指令操作流程图
这个表对应了C0h后跟的Add
这个表对应了流程图中的Program Order Address地址，
也就是顺序地址。这个地址决定了WL，也就是Grouped page Address的执行顺序。

这个表对应了Grouped page Address表中的数值对应着页地址，也就是流程图中的TLC address。
每行从GroupA->GroupB->GroupC是一个WL
在这里插入图片描述
什么是WL：对SLC来说一个WordLine对应一个Page；而对MLC来说则对应2个Page(Lower Page 和Upper Page)；对于TLC来说对应3个Page;Page的大小与WordLine上存储单元(Cell)数量对应。
WL是Word Line的缩写，指字线
BL是Bit Line的缩写，指位线
WL用于控制存储单元和BL的连通，BL用于读写存储单元。

来几个例子吧：

(1)假如我要写第0块第0页，因为是第0块所以是第0片；为什么是第0片，可以看看双plane关于Block的划分，简单来说就是偶数Block是第0Plane，奇数Block是第1Plane.
好开始写指令。
第一步:80 00 00 00 00 00 W-Data C0 11
第二步：跳过（看Grouped page Address所在WL只有GroupA）
第三步：跳过（看Grouped page Address所在WL只有GroupA）
第四步：8B 00 00 00 00 00 10 (这里的地址是由Grouped page Address所在WL对应的Program Order Address地址决定的)

(