Nand Flash结构及错误机制

Nand Flash是一种非易失性存储器,具有读写速度快.功耗低.存储密度高等优点,目前被广泛应用于电子产品中,如固态硬盘( SSD)、手机、数码相机等。进入21世纪以来,随着CPU主频以及IO频率的不断提高,传统硬盘由于读写速度慢等原因已经成为PC、服务器存储等领域发展的瓶颈。由于基于Nand Flash的存储相比于传统硬盘存储具有体积小、读写速度快.抗震动强、温湿度适应范围宽等优点, Nand Flash的市场份额正在迅速扩大,逐步取代传统硬盘。尤其在航天航空、国防军事等特殊的应用环境领域中,Nand Flash已经成为存储设备的首选。

Nand Flash存储器内部是由存储单元“浮置栅晶体管”阵列排布组成,每一个“浮置栅晶体管”包括2个栅极:一个控制栅极和一个浮置栅极,如图1所示。浮置栅极被绝缘层包围,能够长时间存储电荷。存储单元初始状态为擦除状态,此时浮置栅极没有电子积聚,当对控制栅极施加正电压时,电子会从源极与漏极之间的通道经过氧化层陷入浮置栅极,此时存储单元处于编程状态。擦除操作是在源极加正电压，利用浮置栅极与源极之间的隧道效应,把浮置栅极的电子吸引到源极。

图1浮置栅晶体管结构示意图

Nand Flash存储空间由若干个plane组成,每个plane又包含若干个块,块又由页组成。页包括数据区域和冗余区域2部分,数据区域用来存储数据,冗余区域则用来存储ECC相关信息和映射表等信息12。页为Nand Flash的读写单元,块为擦除操作单元。

Nand Flash