TLC Nand Flash 存储单元的读取原理

我们知道Nand Flash使用浮栅晶体管作为存储单元（memory cell）来存储数据，浮栅晶体管物理结构如图1所示：

图1 浮栅晶体管

对于普通的晶体管（去掉浮栅晶体管中的浮栅层，floating gate），暂时先忽略其他因素，我们只看control gate施加的电压（这里暂时称为Vg），当Vg增大到一定值得时候，channel中有电子流过（导通），此时的电压大小称为阈值电压Vth；当Vg小于Vth时，channel中没有电子流过（截止）。

对于浮栅晶体管：

• 如果浮栅层存有电子，它会抑制Vg对channel中的电子流动（导通）的影响；
• 浮栅层电子越多抑制效应就越明显，导致让channel导