Nor Flash存储器深度分析第二篇

南山墨客

于 2024-07-19 15:28:28 发布

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文章标签：单片机嵌入式硬件

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Nor Flash存储器深度分析第二篇

本文针对IS25WP128芯片，分析其寄存器，通过对寄存器的理解，可以让我们更加充分的认识这款芯片，后续工作中遇到别的型号的Nor Flash也能举一反三进行分析。

1.寄存器

IS25WP128有四组寄存器：状态寄存器、功能寄存器、读取寄存器和自动启动寄存器。

状态寄存器

WIP位（Write In Progress，正在写入）：这是一个只读位，用于检测编程、擦除或写入/设置非易失性/一次性可编程（OTP）寄存器操作的进度或完成情况。当设备正在执行这些操作时，WIP被设置为“1”（忙碌状态）。在此期间，设备将忽略除读取状态/功能/扩展读取寄存器以及软件/硬件复位指令之外的所有指令。此外，在编程或擦除操作过程中，还可以执行擦除/编程暂停指令。当操作完成时，无论操作是否成功，WIP都会被清除为“0”。

WEL位（Write Enable Latch，写入使能锁存器）：这个位表示内部写入使能锁存器的状态。当WEL为“0”时，内部写入使能锁存器被禁用，如下写入操作被禁止。当WEL为“1”时，允许执行写入操作。WEL位通过写入使能指令来设置。每个写入非易失性寄存器、编程和擦除指令之前都必须先执行WREN指令。与易失性寄存器相关的命令（如设置易失性读取寄存器和设置易失性扩展读取寄存器）不需要将WEL设置为“1”。WEL可以通过写入禁用（WRDI）指令来重置，或者在任何写入操作完成后自动重置。

BP3, BP2, BP1, BP0 位（块保护位）：BP3, BP2, BP1, BP0用于定义需要保护的内存区域的部分，编程或擦除操作都将被禁止，根据功能寄存器TBS位的设置，配置BP3, BP2, BP1, BP0的值，可以选择保护的块的起始位置和数量。

SRWD 位（状态寄存器写禁用位）：此位与写保护（WP#）信号协同工作，以提供硬件保护模式。当 SRWD 被设置为“0”时，状态寄存器不受写保护。当 SRWD 被设置为“1”且 WP# 被拉低时，状态寄存器中的位（SRWD、QE、BP3、BP2、BP1、BP0）变为只读，且 WRSR 指令将被忽略。如果 SRWD 被设置为“1”且 WP# 被拉高，则状态寄存器可以通过 WRSR 指令进行更改。

QE 位（四线操作使能位）：此位是状态寄存器中的一个非易失性位，它允许进行四线操作。当 QE 位被设置为“0”时，WP# 和 HOLD#/RESET# 引脚被启用。当 QE 位被设置为“1”时，IO2 和 IO3 引脚被启用，可进行4线SPI传输。

功能寄存器