模拟电子的开端之半导体

*模拟电子的开端之半导体
1.本征半导体简略介绍：我们都知道，半导体是硅（SI）锗（GE），都是四价元素，他们原子的最外层电子收到原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间，本征半导体只不过是纯净的晶体结构。其特征有二，第一个是无杂质，第二个是稳定的晶体结构。由于这种特殊的结构，在原子与原子之间就会形成公用的电子，也就是我们常说的共价键。电子如果受热吸收能量进行热运动的话，很可能就会挣脱掉原子的束缚。因为本征半导体内无杂质，外加电子挣脱掉原子的束缚，就会形成一个自由的电子（带负电）以及一个带正电荷的空穴。有多少自由电子就会有多少空穴！并且在一定的温度下自由电子以及空穴的浓度一定，温度升高之后，自由电子受到的能量增加，热运动一定会加剧，挣脱共价键的电子数量增多，自由电子与空穴的浓度就会提高。
2.本征半导体中的两种载流子
说到载流子，我们就不得不提及一下载流子的概念，标准的概念为：运载电荷的粒子称为载流子。当给本征半导体外部增加一个电场的时候，带负电的自由电子和带正点的空穴都会参与导电，并且二者运动方向相反。由于载流子的数目非常少，所以导电性能很差。但是当温度升高的时候，电子和空穴的浓度就会增加，因此导电的能力就会增加。看到这里我们不禁会有一个疑问，为什么非要把一个带有杂质的半导体给变成本征半导体，原因就在于我们想让这块半导体的导电性能是可控的。
3.杂质半导体
上述我们谈论了本征半导体，但是对于用温度去控制半导体电流大小是不显示的，因此向本征半导体内注入了杂质，就产生了N型半导体以及P型半导体。
①N型半导体：向本征半导体内注入磷元素，此半导体内四价的硅或锗就会