半导体 1

纳米集成电路制造工艺（第2版）笔记

基于体电动势对应费米能级和本征能级之间的能级差，可以得到如下的自建电压表达式：${\varphi }_{b}i=V_{t}ln\frac{N_d\ast Na}{n_i^2}$
对于理想的二极管方程的推导，我们乃假定费米能级在整个耗尽区恒定，在低注入条件型，在耗尽区边缘的少数载流子密度由下式给出：

$n_p(x=x_p)=n_{n}exp(-\frac{{\varphi }_{b}i-V_a}{V_t})=\frac{n_{i,p}^2}{N_a}exp(\frac{V_a}{V_t})$
$p_n(x=x_p)=p_{p}exp(-\frac{{\varphi }_{b}i-V_a}{V_t})=\frac{n_{i,n}^2}{N_d}exp(\frac{V_a}{V_t})$

• $n_{i,n}$和$n_{i,p}$分别是N区和P区半导体的本征载流子浓度
• $V_a$为外加电压
  并假设二极管是一个"长"二极管，得到少数载流子和电流分布表达式：

$$\begin{gathered} n_p(x)=n_{p0}+n_{p0}(exp(\frac{V_a}{V_t})-1)exp(\frac{x+x_p}{L_n})(x<-x_p) \\ {p}_n(x)=p_{n0}+p_{n0}(exp(\frac{V_a}{V_t})-1)exp(\frac{x+x_n}{L_p})(x_n<x) \\ {j}_n(x)=q{D}_n\frac{d_n}{d_x}=q\frac{D_n{n}_{p0}}{L_n}(exp\frac{V_a}{v_t}-1)exp(\frac{x+x_p}{L_n})(x<-x_p) \\ {j}_p(x)=q{D}_p\frac{d_p}{d_x}=q\frac{D_p{p}_{n0}}{L_p}(exp\frac{V_a}{v_t}-1)exp(\frac{x+x_n}{L_p})(x_n<x) \end{gathered}$$
不太懂，感觉红色的部分应该是$L_p$, 但是原文是$L_n$, 有小伙伴知道原理的帮忙解释下。

这里
$D_p$, $D_n$分别是空穴和电子在半导体中扩散系数，
$L_p$,$L_n$分部是空穴和电子在N型和P型半导体内的扩散长度，
$p_{n0}$,$n_{p0}$分别是N型半导体内少数载流子空穴和P型半导体内少数载流子电子的热平衡载流子密度。

忽略载流子在半导体内的复合，得到理想二极管的电流密度为：
$$\begin{gathered} J_{ideal}=J_n(x=-x_p)+J_p(x=x_n) \\ =q(\frac{D_n{n}_{p0}}{Ln}+\frac{D_p{p}_{n0}}{Lp})(exp\frac{V_a}{V_t}-1) \\ =q(\frac{D_n{n}_{i,p}^2}{L_n{N}_n}+\frac{D_p{n}_{i,n}^2}{L_p{N}_d})(exp\frac{V_a}{V_t}-1) \end{gathered}$$

晶体中电子的基本方程为：

${\phi }_k(x)=u_k(x)e^{i2\pi kx}$
- K为波矢
- $u_k(x)$为一个与晶格同周期的周期性函数: $u_k(x)=u_k(x+na)$

双极性晶体管：
发射结正向偏置，集电极反向偏置。
通过发射极的电流使大量的少数载流子注入到基区，这些少数载流子扩散到集电结而形成集电极电流，只有极少量的少数载流子在基区内复合而形成基极电流。

金属-氧化物-半导体场效应晶体管：
一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻的现象成为场效应。
根据结构可以分为：

• 采用金属-绝缘体-半导体的系统构成的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)
• 采用PN结构成栅极的结型场效应管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）
• 采用金属与半导体接触肖特基势垒结构成的MESFET场效应晶体管
• 高电子迁移率晶体管（HEMT）
• 无结金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Junctionless Field-Effect Transistor, JLFET）
• 量子阱场效应晶体管