FPGA(SDRAM_init_set)

SDRAM_init

1. SDRAM芯片各引脚及功能
   

2. SDRAM常使用的命令
   

3. SDRAM芯片内部状态转移图
   
   注：1-粗线为自动跳转。2-细线为手动跳转

4. 开始配置
   SDRAM上电后需要保持100us的延时时间，并且在这段时间内不允许做任何操作，也就是说这段期间内需要给SDRAM发送NOP( No operation )空操作命令。在100us延时过后，需要给出Percharge(预充电 )命令对所有Bank进行预充电。这样可以将芯片内部的状态机跳转到IDLE状态，在IDLE状态内需要连续给出两个AUTO refresh(自动刷新)命令，当两个命令结束后才能够设置模式寄存器(MODE register set)。
   模式寄存器需要根据需要来设定
   
   Burst Length(突发长度):SDRAM可以进行突发“读”或突发“写"。以突发写为例子，假如当前突发写长度为4，在写入数据时只需要给出写的首地址，再连续给出需要写入的4个数据，第一个数据会写入首地址，第二个数据会自动写到下个地址以此类推。
   Burst Type(突发类型）：突发类型一个有两种类型，顺序型和交错型，建议使用顺序型。
   CAS Latency(延时)：为了采样得到更准确的数据建议选择延时2.
   OP Code：选择突发“读”和突发“写”模式。
   这样SDRAM模式寄存器基本设置完成。

5. SDRAM初始化波形图
   
   波形图是根据芯片手册得到的，波形图中的延时是厂家提供参考使用的，但在实际使用中个人建议把延时再加长一些，例如芯片上电延时100us能够改成200us或者其它时间也行，但必须大于或等于厂家提供的100us，否则芯片设置失败。

6. SDRAM代码
   
   以上是SDRAM初始化配置及代码，如有错误的地方还望大神们之处。谢谢！