《炬丰科技-半导体工艺》 超临界二氧化碳处理技术在光刻技术中的应用及其对微抗蚀剂图案附着力的影响

书籍：《华林科纳-半导体工艺》
文章：超临界二氧化碳处理技术在光刻技术中的应用及其对微抗蚀剂图案附着力的影响
编号：JFKJ-21-1105
作者：华林科纳

引言
作为半导体器件和MEMS微加工技术基础的光刻技术中，显影和清洗等湿法工艺是必不可少的。在本稿中，介绍了能够定量评价超临界CO2处理对微细光刻胶图案―基板间的粘接强度带来的影响的、用于微小结构材料的粘接强度试验法。 并且，实际利用该试验法，测量在不同的超临界CO2处理条件下制作的微细光刻胶图案的粘附强度，通过超临界处理条件提高粘附强度的定量性证明了这一点。

实验
该微细加工技术还应用于Micro―electro―mechanical system(MEMS)器件的微机械元件的制造。 MEMS器件是指在基板上集成由数～数百微米尺寸的部件构成的微机械元件和电子电路。 图1显示的是一般的半导体·MEMS微加工技术的示意图。 图1左图是作为半导体器件制造基础的二维微细加工技术，利用光刻法，在通过旋涂等在基板上薄薄涂布的感光性光刻胶膜上，利用紫外线、电子束等对微细图案进行曝光、显影，从而在基板上用高分子光刻胶薄膜制作超微细图案的技术。 通过利用该微细抗蚀剂图案作为掩模对基板上的薄膜进行蚀刻，或者利用该微细抗蚀剂图案作为模具进行气相沉积、电镀等，在基板上制作高密度集成电路。
在MEMS器件中，通过组合该二维光刻法和三维微加工双方的微细加工技术并反复实施，同时进行超微细电子电路和微小机械要素的制造、组装。

如前项所述，由于急剧的高集成化，光刻胶的图案宽度急剧减少，与此