《炬丰科技-半导体工艺》清洗半导体晶片的方法

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：清洗半导体晶片的方法
编号：JFKJ-21-361
作者：炬丰科技

摘要
该公司提供了一种用于清洗半导体晶片的方法和设备 100，该方法和方法包括通过从装载端口 110 中的盒中取出两个或多个晶片来填充化学溶液的第一罐将晶片放入。将晶片放入装满液体的第一槽和第二槽中；晶片在第二槽中处理后，将晶片从第二槽(138)中取出，使晶片保持湿润状态。在将晶片之一转移到单个晶片清洁模块150中的夹盘上的同时旋转夹盘，同时将化学溶液施加到晶片上；将去离子水涂在晶片上；干燥晶片；将晶圆从单晶圆清洗模块中取出，然后将晶圆放回装载端口的卡匣中。
操作顺序
从装载口的卡匣中取出至少两片晶圆，将晶圆转入第一翻转机构，将晶圆放入盛有化学溶液的第一槽中；晶圆在第一槽中处理完毕后，将晶圆从第一槽中取出，以保持晶圆处于湿润状态。将晶片放入装满液体的第二个槽中；晶圆在第二槽中处理完毕后，将晶圆从第二槽中取出，以保持晶圆湿润；将晶片变成第二翻转机构，并将其中一个晶片放置在单个晶片清洁模块中的卡盘上；在将化学溶液施加到晶片上的同时旋转卡盘；将去离子水涂在晶片上；干燥晶片；和将晶圆从单个晶圆清洗模块中取出，然后将晶圆放回装载端口的卡匣中。
包含，一种清洗半导体晶片的方法。
技术领域
清洗 半导体晶片的方法和装置技术领域本发明涉及制造集成电路领域，尤其涉及一种清洗半导体晶片的方法和装置。
背景
在集成电路制造过程中，需要对晶圆进行清洗，以去除残留的光刻胶、干蚀刻过程中产生的有机物以及高质量集成电路制造过程中粘附在晶圆表面的薄膜材料，经过高质量的干蚀刻工艺后，清洗晶圆的主要化学溶液是，例如 H2SO4 ，它包含SPM、SC1和BOE，它们是H2O2的混合物，这里SPM的温度高达90°C或更高，SPM是残留的光刻胶。用于去除灰尘和有机物，一般工业上清洗晶圆的方法有两种，一种是批量清洗，一种是单片清洗。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种清洁半导体晶片的方法，该方法包括以下步骤：从装载口中的盒中取出两个或多个晶片，并将这些晶片放入充满化学药品的第一罐中。解决方案；晶圆在第一个槽中处理后，晶圆进行除霜处理
维持状态；将晶片放入装满液体的第二个槽中；晶圆在第二槽中处理完毕后，将晶圆从第二槽中取出，以保持晶圆湿润；将其中一个晶片放置在单个晶片清洁模块中的卡盘上；在将化学溶液施加到晶片上的同时旋转卡盘；将去离子水涂在晶片上；干燥晶片；将晶圆从单晶圆清洗模块中取出，然后将晶圆放回装载端口的卡匣中。
发明的效果
如上所述，本发明将批量清洗和单片清洗相结合，发挥了批量清洗和单片清洗的优点。采用本发明的方法和装置，对晶片进行干蚀刻处理后的有机物，可以有效去除颗粒和薄膜材料。可以通过批量清洗进行高温工艺去除有机物，因为高温化学溶液可以在批量清洗过程中重复使用和回收，并且在批量清洗过程中产生。因为酸可以很好地控制雾气 单晶片清洗去除颗粒和薄膜材料 由于在进行单晶片清洗和干燥过程之前晶片始终保持湿润，因此从单个晶片上去除晶片上的污染物。很容易通过晶圆清洗去除。

图1示出了用于清洁本发明的半导体晶片的本发明的半导体晶片的清洁装置200、多个装载端口210、第一机械手220、两批清洁它具有设备230、第三机械手240和数个单晶片清洗模块250。与装置100相比，不同之处在于装置200的两端分别设置了两批清洗。重点是装置200具有装置230。装置200可以提高清洗效率。