《炬丰科技-半导体工艺》 硅上具有 n 型脊的氮化铟镓激光器

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：硅上具有 n 型脊的氮化铟镓激光器
编号：JFKJ-21-1151
作者：华林科纳

铟镓氮化物(InGaN)紫外发射激光二极管，具有n型脊形波导(nRWs)的硅上的LDs，其表现出比pRW-LDs更低的电阻和改进的热性能。正常情况下，过程基于InGaN的激光二极管中的RW在器件的p侧。出现热和电的问题是因为p-氮化镓比n-氮化镓电阻大得多。认为nRW-LD器件可以与大规模硅完全兼容。

基于互补金属氧化物半导体(CMOS)的主流电子器件，可以在单片集成硅光子学中用作,用于高速数据通信和计算的高效片上光源。镁是ⅲ-氮化物结构中常用的p型掺杂剂。这在产生p型导电性所需的生长和活化退火中施加了许多限制。首先，镁倾向于在反应室中徘徊。这种“记忆效应”意味着，无论是否需要，后续层都会有一定程度的镁结合。因此，存储效应倾向于导致生长工艺被设计成最后生长p型层。

激光二极管结构由夹在波导层之间的五个铟镓氮量子阱组成。这n侧波导和包层最近的50纳米未掺杂，避免了脊波导结构中的电流扩散。激光二极管结构被p面向下键合到精确的Si(100)晶片上p型欧姆接触电极表面。用湿法腐蚀去除硅(111)生长衬底。进一步的干法等离子体刻蚀去除了氮化铝/氮化铝镓生长缓冲结构。倒置的RW-LD结构允许包层的n型面比通常薄得多，约0.5m In非倒置结构n包层位于厚氮化镓模板的顶部，具有“反引导”效果。倒置RW-LD包层的p侧较厚，为1.2 m。

降低低热导率的n型AlGaN包层的厚度可以大大降低热阻和AlGaN和GaN模板之间晶格失配产生的拉伸应力，从而提高器件性能和制造成品率。”结合的材料最终被制成10兆×800兆读写头器件(图2)。有效的p电极的面积估计为300m×800m。在–5V反向偏置下，反向漏电流约为10–7A。开启电压约为3.0V,超过这个范围的偏差增加会更大,与硅(111)上的正常pRW-LD相比&#