《炬丰科技-半导体工艺》 α-羟基酸湿法刻蚀InP

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：α-羟基酸湿法刻蚀InP
编号：JFKJ-21-1180
作者：华林科纳

引言
InP半导体的可控蚀刻和表面钝化对于去除受损表面和获得良好的电子性能是理想的。我们观察到，与仅基于无机酸的蚀刻相比，有机酸(α-羟基酸:酒石酸、乳酸、柠檬酸和苹果酸)与盐酸一起用于蚀刻磷化铟的表面时，会产生更光滑和无缺陷的表面。有机酸的螯合作用有助于有效地从表面去除铟，这导致非常可控的蚀刻。
为了在磷化铟加工层/衬底的顶部生长半导体层，通常必须回蚀很小厚度的磷化铟，以去除加工过程中受损的表面层和表面杂质。因此，需要具有非常低且可控的蚀刻速率的蚀刻溶液，这为表面提供了光滑的镜面光洁度。有人建议使用盐酸和α-羟基酸(乳酸、柠檬酸、苹果酸和酒石酸)的含水混合物来蚀刻磷化铟。可以看到这些酸与ⅲ-ⅴ族半导体中的ⅲ族离子强烈结合；它们的螯合性质结合了磷化铟的铟原子，使表面蚀刻反应更加均匀。因此，避免了盐酸蚀刻导致的优先磷耗尽。

实验
采用的一般策略是仔细研究在水溶液中用盐酸和不同比例的羟基酸蚀刻磷化铟表面。虽然磷化铟的快速蚀刻已经有了很好的记录，但是在获得非常慢、可控和可再现的蚀刻方面的工作要少得多。本研究表明，使用乳酸、苹果酸、柠檬酸和酒石酸会导致磷化铟蚀刻非常缓慢和均匀。 蚀刻实验采用半绝缘InP(100)晶片和ingas/InP双异质结构晶片，用于蚀刻研究的样品在三氯乙烯(TCE)、丙酮、异丙醇和去离子水中各超声清洗3分钟，每次清洗之间用干燥氮气吹干。

讨论和结果
盐酸本身就以一种蚀刻率猛烈地攻击InP。单独在水介质中使用盐酸不适合缓慢可控蚀刻(5nm/min)，因为表面相当粗糙，图2a这里的蚀刻是选择性的，并导致指向45°的蚀刻坑。其蚀刻机理主要涉及In和P的溶解，蚀刻坑表面可以是一种。在传统的蚀刻处理