《炬丰科技-半导体工艺》有效释放低缺陷密度AlN 蓝宝石模板的AlN厚膜拉应力

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：有效释放低缺陷密度AlN 蓝宝石模板的AlN厚膜拉应力
编号：JFKJ-21-1174
作者：华林科纳

如何利用高温(HT)金属有机化学气相沉积(MOCVD)有效地释放氮化铝(AlN)厚膜中的拉伸应力，允许低缺陷密度的铝/蓝宝石模板的生长。这种技术能够提高深紫外线发光二极管(DUVled)的性能。
DUVled在水/空气/表面灭菌、非视线通信、光电离和气体/DNA传感方面具有广泛的应用潜力。由于缺乏大规模和低成本的天然AlN衬底，现有的DUVled主要是在AlN/蓝宝石模板上制造的。然而，AlN脱毛层和蓝宝石衬底会产生较高的线程位错密度(TDD)。因此，对TDD极其敏感的无铟DUVled的光输出功率不足。
通过增加AlN厚薄膜来降低AlN/蓝宝石模板中的TDD，使位移能够爬上长距离进行相互湮灭。该技术的关键是通过引入高密度纳米孔，有效地释放AlN厚薄膜中的拉伸应力。
AlN薄膜的生长是由NAURAiTopsA230AlN溅射系统中的2英寸（0001）蓝宝石衬底上的20纳米厚的AlN缓冲液开始的。随后，利用Aixtron折叠喷头（中国化学会）高温(HT)金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统，在溅射的AlN/蓝宝石上制备了厚AlN薄膜。随后的结构包括300nm厚的HTAlN-1层(1230°C)、350nm厚的中温(MT)AlN层间(930°C)和4950nm厚的HTAlN-2层(1235°C)。AlN薄膜的总厚度约为5.6μm。此外，还生长了一个5.6μm厚的无MT层间的AlN薄膜以进行比较

原位曲率瞬变表明，在HTAlN-2生长过