《炬丰科技-半导体工艺》自对准栅氧化镓金属氧化物半导体晶体管

最新推荐文章于 2024-11-07 17:15:19 发布

jfkj2021

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文章标签：人工智能

本文链接：https://blog.csdn.net/jfkj2021/article/details/121950884

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本文介绍了采用自对准栅氧化镓金属氧化物半导体晶体管（MOSFET）的技术，通过硅离子注入降低接入电阻。在22nm硅掺杂β-Ga2O3n型通道层上，利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）、原子层沉积（ALD）和溅射等工艺形成栅极堆。经过快速热退火激活硅掺杂，结果显示高温退火未对界面造成损伤。该设备表现出优秀的电气特性，峰值跨导为35mS/mm，最大漏极电流达140mA/mm。

摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：自对准栅氧化镓金属氧化物半导体晶体管
编号：JFKJ-21-1176
作者：华林科纳

首次演示了自对准栅(SAG)β多型氧化镓(β-Ga2O3)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)。使用了硅(Si)离子植入设计来消除源接入电阻，给出了迄今为止报道的β-Ga2O3MOSFETs的最高跨导值。认为，这种SAG过程“对于未来β-Ga2O3器件工程实现高性能、超低功耗损耗器件至关重要。β-Ga2O3基于其超宽性能，已被广泛认为是一种用于高效电力应用的半导体材料能带隙（~4.8eV）。相关的高估计临界场（~8MV/cm）大约比氮化镓或碳化硅等宽带隙材料要高出2-3倍。

据报道的β-Ga2o3器件的性能受到了寄生电阻效应的限制。SAG过程中的硅离子注入是降低硅和碳化硅（碳化硅）晶体管接入电阻的关键技术。使用了一个半绝缘的掺铁β-Ga2O3衬底，其中通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)添加了一个22nm的硅掺杂β-Ga2O3n型通道层。栅极堆的形成包括30nm氧化铝（氧化铝）介电原子层沉积(ALD)、钨(W)溅射以及通过反应离子蚀刻形成的铬(Cr)硬掩模（图1）。因为这些金属会被后来的热退火过程损坏。

在这里插入图片描述

图1 (a)锯β-Ga2O3MOSFET示意图，(b)自上而