《炬丰科技-半导体工艺》砷化铟在Br2-HBr中的化学溶解

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：砷化铟在Br2-HBr中的化学溶解
编号：JFKJ-21-1304
作者：华林科纳

本文研究了氢溴酸中溴溶液中InAs化学溶解和化学切割的性质和动力学，结果表明，在低溴浓度下(高达6vol.%)时，InAs的溶解速率随溴浓度呈线性增长，这种溶液可用于化学抛光InAs，氢溴酸中含有20至30vol.%溴的溶液以25至50µ/min的速率溶解InAs，形成带有蚀刻坑的抛光表面，这种溶液可用于化学切割砷化铟。
在针对半导体表面制备的工艺过程中，使用甲醇中的溴溶液是相当有利的，提示铟、砷和锑以甲氧基溴化物的形式进入溶液，在碳溶液的甲醇-四氯化物中，InAs与溴是一级氧化反应，在甲醇中溴含量高达6vol.%时，InP、InAs和砷化镓的蚀刻速率与溴浓度呈线性增长，蚀刻后的溶解速率和样品表面质量在很大程度上依赖于溶液中溴的浓度。
InSb在甲醇溶液中的0.5vol.%溴中蚀刻，可形成表面氧化物膜(厚度高达3nm)，这部电影是由In2O3和Sb2O5混合而成的，在甲醇中使用5%溴溶液进行InP处理，可以获得杂质的表面，对于磷化铟的局部蚀刻，推荐二甲基甲酰胺中的溴溶液为。
本文的目的是研究在Br2-HBr溶液中对InAs进行化学溶解的过程，并优化在上述溶液中进行InAs抛光和化学切割的成分和工艺程序，利用一个化学动力抛光装置发现了InAs的溶解速率，其中实现了圆盘的水动力旋转，这使我们能够测量保持边界扩散层厚度不变的蚀刻速率。我们的实验是对单晶未掺杂的n-InAs样品进行的，面积约为0.5cm2的晶片已从钢锭上切割出来，经过机械研磨和抛光后，在抛光溶液中蚀刻，以去除在切割、研磨和化学机械抛光时被破坏的薄层