《炬丰科技-半导体工艺》碳化硅晶片预清洗的影响

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：碳化硅晶片预清洗的影响
编号：JFKJ-21-796
作者：炬丰科技

摘要
实验研究了预清洗对KOH/IPA溶液中单晶硅表面纹理化的影响。如果没有适当的预清洗，表面污染会形成比未污染区域尺寸小的金字塔，导致晶片表面纹理特征不均匀，晶片表面反射率不均匀。根据供应商的不同，晶片的表面质量和污染水平可能会有所不同，预清洗条件可能需要定制，以达到一致和期望的纹理化结果。

介绍
晶体硅的织构化是太阳能电池制造中必不可少的工艺之一。具有良好纹理的表 面可以提高太阳能电池的光吸收效率，这被认为对电池的IQE（内部量子效率）非常商卷然已经开发了许多用于表面纹理化的技术，但是在c-Si（单晶硅）太阳能电池， 的工业生产中通常使用热碱性溶液的各向异性蚀刻。通过适当应用工艺参 数，氢氧化钾（或氢氧化钠）和异丙醇（异丙醇）的湿化学混合物与硅反应，在取向的cSi晶片表面上形成随机金字塔，从而降低总表面反射率。
虽然大部分努力都放在调整纹理化工艺参数以控制金字塔尺寸上，但很少关注晶 片表面质量的变量以及纹理化前表面处理对纹理化结果的影响。本文通过应用各种清洗条件和使用不同供应商的晶片，研究了预清洗对c-Si太阳能晶片碱性织构化的影响，并对实验结果进行了讨论。

实验

湿法化学工艺是在阿克里翁应用实验室的GAMATM晶圆清洗站进行的。典型的顺序 是纹理前清洗、纹理化和纹理后清洗。在组织化过程之前，使用碱性、酸性或其组合， 在各种预清洁条件下进行分批试验。
分别在氢氧化钾/异丙醇和氢氟酸/盐酸的固定条件下进行组织化和后清洗。通过重量损失测量技术，使用在停滞气流中操作的微量天平（灵敏度为