书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:具有SiN层和Si层的基板的湿蚀刻方法
编号:JFKJ-21-1362
作者:华林科纳
本文涉及一种基板用韦特蚀刻组合物,其含有0.150质量%的含氟化合物(A),0.0410质量%的氧化剂(B),以及含有水(D),pH值在2.0~5.0的范围内的SiN层和Si层。 另外,利用该韦特蚀刻组合物的、具有SiN层及Si层的半导体基板的韦特蚀刻方法,使用时产生的挥发性成分对装置或排气线的腐蚀和空气污染,进而在减轻组合物中氮粉引起的环境负荷的同时,对于具有SiN层及Si层的基板,可以提高Si对SiN的去除选择性。
已知Si膜可以用碱性水溶液去除,而碱性水溶液在不同晶体面的蚀刻速度有很大不同。 在CVD法成膜的Si膜中,由于不同地点的晶面朝向不同的方向,所以在裸露着难以蚀刻的一面的地点无法进行蚀刻,导致了Si膜无法去除加工的问题。
通过利用组合物,在半导体元件的制造工艺中,减轻装置或排气线的腐蚀或氮粉中环境中的负载,对于具有SiN层及Si层的基板,可进行Si蚀刻速率高,且Si对SiN的去除选择性高的韦特蚀刻。
在实施例和比较例中使用的基板,芯片分别采用CVD法将Si膜成膜到厚度为500的Si基板上的Si膜基板,Low Pressure CVD法将SiN膜成膜到厚度为500的Si基板上的SiN膜基板,切割成方圆1cm的尺寸。
以上测量了表2所载韦特蚀刻组合物表4所载温度下Si膜及SiN膜的蚀刻速率,结果显示在表4中。Si膜的蚀刻速度评价为C,Si膜/SiN膜的选择比评价也为C。 结果表明,在氟化氢和高锰酸钾的混合水溶液中,降低氟化氢浓度降低了Si膜的蚀刻速率,Si膜/SiN膜的选择比也较低。