《炬丰科技-半导体工艺》具有SiN层和Si层的基板的湿蚀刻方法

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：具有SiN层和Si层的基板的湿蚀刻方法
编号：JFKJ-21-1362
作者：华林科纳

本文涉及一种基板用韦特蚀刻组合物，其含有0.1_{50质量%的含氟化合物(A)，0.04}10质量%的氧化剂(B)，以及含有水(D)，pH值在2.0~5.0的范围内的SiN层和Si层。 另外，利用该韦特蚀刻组合物的、具有SiN层及Si层的半导体基板的韦特蚀刻方法，使用时产生的挥发性成分对装置或排气线的腐蚀和空气污染，进而在减轻组合物中氮粉引起的环境负荷的同时，对于具有SiN层及Si层的基板，可以提高Si对SiN的去除选择性。
已知Si膜可以用碱性水溶液去除，而碱性水溶液在不同晶体面的蚀刻速度有很大不同。 在CVD法成膜的Si膜中，由于不同地点的晶面朝向不同的方向，所以在裸露着难以蚀刻的一面的地点无法进行蚀刻，导致了Si膜无法去除加工的问题。
通过利用组合物，在半导体元件的制造工艺中，减轻装置或排气线的腐蚀或氮粉中环境中的负载，对于具有SiN层及Si层的基板，可进行Si蚀刻速率高，且Si对SiN的去除选择性高的韦特蚀刻。
在实施例和比较例中使用的基板，芯片分别采用CVD法将Si膜成膜到厚度为500的Si基板上的Si膜基板，Low Pressure CVD法将SiN膜成膜到厚度为500的Si基板上的SiN膜基板，切割成方圆1cm的尺寸。