《炬丰科技-半导体工艺》基板预栅极清洗的系统和方法

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：基板预栅极清洗的系统和方法
编号：JFKJ-21-999
作者：炬丰科技

在半导体制造中，半导体的湿法清洗使用氢氟酸(HF)、标准清洗1(SCI)和标准清洗2(SC2)的顺序化学配方进行栅极前清洗。该清洗程序旨在通过HF去除大块二氧化硅(SiO)，然后用SCI(去离子水(DI)、氢氧化氨(NH，OH)和过氧化氢(HCO)的混合物)清洗颗粒，然后用SC2(去离子水、盐酸(HCI)和HCO的混合物)清洗金属。该顺序清洁过程之后通常是最后的异丙醇(异丙醇)干燥步骤。在每个步骤之间通常会进行中间去离子水冲洗。重要的是在高频之后和化学气相沉积重新生长一氧化硅层之前，清洁半导体衬底的硅(硅)表面。任何由硅-二氧化硅界面中的颗粒、金属或表面粗糙度引起的缺陷都可能导致氧化物电荷-击穿故障的电测试，导致器件成品率降低。

用于清洗半导体晶片的系统和方法，其中消除了SCI和SC2的使用，代之以DIO和稀释化学物质的使用。在一个方面，本方法包括：(a)在处理室中支撑至少一个半导体晶片，该半导体晶片具有硅基底，在至少一个预栅极结构中具有二氧化硅层；(b)将去离子水中的氢氟酸水溶液施加到半导体晶片上，以去除二氧化硅层并形成栅极；©向半导体晶片施加臭氧化去离子水(DIO ),以从栅极去除颗粒并钝化硅基底；(d)将氢氟酸和盐酸在去离子水中的稀溶液施加到半导体晶片上，以去除由于施加DIO而可能在栅极中形成的任何二氧化硅层，并去除任何金属污染物；以及(e)将DIO应用于半导体晶片，以在栅极中的硅基底上生长新的二氧化硅层。

本方法不限于任何特定的工艺参数，但是优选的是，氟化氢水溶液的应用目标是从预栅结构中去除130埃的一氧化硅层(热氧化物)。该目标和工艺参数可以根据被加工的器件和/或晶片的精确加工需要而改变。氟化氢水溶液