功率损耗的计算方法

 

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从事结构设计、热设计、售前、产品设计、项目管理等工作，涉足消费电子、新能源、医疗设备、制药信息化、核工业等领域

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本期给大家带来的是关于功率损耗的计算方法研究内容，希望对大家有帮助。

之前有很多人在问，做热设计、仿真分析时，器件的损耗怎么来的。一般有三种方法：包含理论计算、软件仿真、以及实验测试。

今天给大家分享的是理论计算，即拿到元器件的相关资料，通过初步的计算获得元器件的理论损耗值，可用于仿真评估设计方案的可行性。

随着电力电子功率器件向高功率密度方向的发展, 元件单位体积内的热量也相应增加。

在大功率高频通信电源等设备中功率开关器件的电能损耗尤其突出, 这部分消耗功率会转变为热量使功率器件管芯发热、结温升高, 如果不能及时、有效地将此热量释放, 就会影响到器件的工作性能, 从而降低系统工作的可靠性, 甚至损坏器件。

电力电子设备中的功率器件在工作时其自身也会消耗一定的电能, 把单位时间内功率器件所消耗的电能称作为器件的功率损耗。

器件的功率消耗将导致其结温升高从而产生了散热冷却的要求; 而散热器在单位时间内所散发出的热能量叫耗散功率。在设备正常稳定工作时, 器件的功率损耗和散热器的耗散功率将达到平衡, 器件的温度也不会继续升高, 即系统达到了热平衡状态。

而PCB中工作的功率器件，功耗往往很大。它们作为热源，会影响整个PCB的散热分布。因此，在研究PCB的散热分析之前，首先要根据器件的数据手册以及电路的工作参数来计算其功率损耗。 

功率器件的功率损耗一般分为通态损耗、开通损耗、关断损耗以及断态漏电流损耗。下面给出了各种损耗的计算公式：

通态损耗

功率器件的工作状态是周期性变化的，通态损耗与器件的占空比有关系。当器件的输出占空比为平均损耗为δ时，平均通态损耗如下：

上式中，IDS为脉冲电流幅值；Uon为器件的通态压降；δ为输出波形占空比。实际应用中器件手册里大多给的是器件的通态电阻。所以，上式可表示为：

式中，RDS为器件的通态电阻。

开关损耗

器件的开关损耗由开通损耗和关断损耗构成。器件在工作过程中不断地开通和关断，电压与电流产生了剧烈的变化，由此产生了较大的损耗。

器件的开关损耗占了总功耗的很大部分。当器件高频工作时，开关损耗会成为功率损耗的主要部分。功率器件的开关损耗公式如下：

开通损耗：

关断损耗： 

式中，US为段太电压值；IM为通态电流值；f为开关频率值；ton为开通时间值；toff为关断时间值。

断态损耗：

一般情况下，功率器件关断时，漏电流非常微小，可以视为无损耗,比如MOSFET器件。但有些大功率器件，比如IGCT。断态电压US很高，其漏电流仍会产生不可忽略的断态功率损耗Pco，其公式为：

式中，Ico为器件漏电流；US为断态电压；δ为器件输出波形占空比。

器件的总功耗由通态损耗、开关损耗和断态损耗组成，其表达式为：

以IR公司的IRF048N MOSFET损耗计算为例。

计算条件：MOSFET两端最大值电压VDS=50V,流入MOS电流ID=50A。ID为最大峰值电流。开关频率100Hz，占空比D=0.5。

驱动电压VGS=15V。MOSFET栅极驱动Qg=89nc。MOSFET损耗包括驱动损耗，开通损耗，导通损耗，关断损耗。

芯片手册：Qg=89nc，Tr=78ns，Tf=48ns

驱动损耗PQ:

开通损耗PT：

导通损耗PON：

关断损耗PF：

总损耗PW：

开关频率很低，基本上都在导通损耗上。