IMD sweet Spot（一）

引言

  近期看了很多关于功率放大器线性度的讨论，发现有一个名词是我没涉猎过得，就是IMD Sweet Spot，中文翻译就是线性甜点的意思。

  IMD Sweet Spot可以解决高效功率放大器的线性问题，使功率放大器在保证一定线性指标时还保持了高效率。 IMD Sweet Spot是由受偏置电压影响的小信号失真(弱非线性)和由器件的开启及饱和特性所决定的大信号失真(强非线性)相互作用的结果。通过改变偏置电压可以控制其弱非线性，从而控制IMD Sweet Spot的产生。寻求合适的偏置电压使得IMD Sweet Spot在增益开始压缩时产生，功率放大器可以有较高的效率，且线性较好。

 下面我就通过读过的几篇经典IMD 论文以及我以前做过的一个PA来验证。

论文推荐

一、1999 Large and small-signal IMD behavior of microwave power amplifiers
二、2002 Prediction of IMD in LDMOS Transistor Amplifiers Using a New Large-Signal Model
三、2015 基于Sweet Spot的线性高效率功率放大器设计
四、2016 Hitting the Sweet Spot

  上面的这四篇论文是主要可以用来看的，前两篇是理论性的，后两篇是国内实际利用理论去设计实现的，应该是有很强的验证性的。

论文介绍（一）

   因为第一篇和第二篇论文都是同一个团队写的，所以我们这里先介绍第一篇论文进行介绍，很多公式的地方我是不太明白的，如果有很懂的朋友可以下面评论我。

一、线性甜点图

  首先我们展现一下常规的基波输出功率图和三阶互调图。可以看到在小输入功率时，两条曲线按比例上升，基波按1dB/dB，IM3按3dB/dB上升，当基波开始出现增益压缩现象时，IM3也出现压缩现象。

   而在实际仿真和测试中，我们看到的图大多是下面这种情况，基波输出功率曲线图和理论一样，而IM3在某个输入功率下出现了一个最小值点，之后又继续趋向于恒定值，如下图的Pin2点，值得注意的是，这个点我们通常希望它出现在饱和输出功率，这样我们又可以达到饱和输出功率，又可以实现好的IMD3，这个出现的点通常被称为线性甜点。

  之所以这种现象引起设计者注意，在大多数情况下，原先的设计是通过功率回退来实现好的线性度（例如选择上图中的Pin1点），这样势必会使得设计出的效率降低，而通过设计线性甜点的位置，反而不需要考虑效率下降的问题，所以是非常值得去研究的（例如图中的Pin2点)。上图也可以看出对于pin2和pin1，pin2的C/I（output signal power-to-distortion ratio ）比更高。

二、如何去预测不同的放大器行为（一）

（一）不带负载考虑

  论文中的公式推导太过于复杂我们直接就最后的公式进行展开分析：
小信号

大信号

  对比两组公式，以及图，我们可以看到当处于大信号的时候，出现了180度相位差，这一点我的理解是，因为IM3开始是按比例上涨的，那么他和基波的上涨方向一致，相位可以设为0，慢慢地IM3出现一个压缩，此时和基波的上涨方向相反，所以可以认为他是一个180度相位翻转。

下图是衡量大小信号图中给的一个范围。

  综上，我们可以得到大信号和小信号时候的计算推导。下面文章又把他们综合到了一起。

  上面的分析指的是，小信号的时候LS不起作用，几乎为0（介于AB之间），而在BC之间起决定作用。并且得出一个结论：对于一个无记忆系统，如果Iout在小信号的时候相位为0，大信号的时候相位为180，那么必然会因为小信号SSout和大信号LS共同的作用而产生的一个IM3最小值。

下面是论文一中的一个G系数曲线图（论文二中的图可能更好一点）

  下图表示了片之巅对G3和G5的改变，通过改变偏置点，小信号IMD行为将被改变。

  利用我们前面分析得出的结论，大信号时候IMD存在180度相位，只要选择静态工作点，使其小信号具有0相位，就一定会产生一个线性甜点。相反如果小信号是180度相位，那么IMD将不会呈现出任何0点，反而会压缩更加剧。

  为了更好的描述这些现象，文章还给出了一些实验使其偏置在不同的静态工作点，来观察IMD现象。

1) Class B

  G3>0，小信号相位0，大信号相位180，所以出现了一个IMD甜点。

2) Class AB

  G3<0，G5>0,小信号IMD相位为180，所以大信号时没有最小值，又因为G3和G5符号相反，所以会出现一个小值，但是又因为大信号的影响，又立马升上去，造成了上图的现象。

3) Class A

  上面两张图，展现的不同栅压下的A类PA，左边的G3<0,G5<0，小信号相位180，所以没有IMD甜点。右边的A类，G3>0，小信号相位为0，所以出现了一个IMD甜点，并且出现的位置位于开启点附近，即大信号和小信号相互作用产生的零点。

4) Small-signal sweet spot

  G3≈0，G5其主要的作用，所以可以看到，小信号的时候上升主要依靠G5决定，5dB/dB，类似于A类，小信号线性度贼好。

5) Double minimum.

  这种情况，G3<0,G5>0，并且G3约等于G5，在这种情况下，可能会出现两个最小点（论文二就主要研究了这种现象）第一个点是由于G3和G5相互作用的结果，第二个结果是小信号和大信号相互作用抵消产生的。

（二）带负载考虑

以上的结论都表明，偏置点和IMD依靠一个无记忆电路，为了更严格考虑，有必要研究一下除了偏置点之外，终端匹配的影响。
下面重新考虑了负载后重新得到的公式

  Volterra 级数可以表述为：

  通过上述公司，可以看出通过选择ZL(w2-w1)基带负载阻抗和ZL(2w2)是变化的，这样是可以改变H3的小信号相位行为的，通过这种方式，可以改变IMD的行为。为了去验证这样的行为，下面进行简单介绍。

  上面表格中的Variable代表Sload的相位是0，90，180，270
  针对上面几种情况，论文一也对上面几种进行了图解。

1)Csae A ,B

A 基带变化，二次短路，三次短路
B 基带变化，二次开路，三次短路

  可以看出，对于基带开路负载，可能会出现最小值，但是当ZL(w2-w1)二次谐波负载的变化可能会改变小信号的IMD相位，从而导致不会出现IMD最小值。（虽然我可能不太理解图的具体区别，继续往下看我们再总结）

2)Csae C ,D

C 基带短路，二次谐波变化，三次短路
D 基带开路，二次谐波变化，三次短路

可以得出：
基带短路，二次谐波的变化对IMD有很好的调整作用。
基带开路，二次谐波的变化对IMD没啥影响

3)Csae E ,F

E 基带短路，二次短路，三次谐波变化
F 基带开路，二次短路，三次谐波变化

从上述结果看出，三次谐波对IMD没有影响

总结

  总之，如果想要实现IMD最小，最佳输出匹配网络应该呈现一个基带和二次谐波低阻抗，实际上，只有二次谐波负载可以控制，基带短路很容易通过漏极偏压实现。

三、总结

  论文一的观点在于，首先通过调整静态偏置点来调整IMD Sweet Spot的位置，这一点是比较关键的（取决于不同类型PA的G3正负值），之后又探讨了负载阻抗对IMD的影响，表明了基波阻抗和二次谐波阻抗处于低阻抗值时对于IMD3的调控是更好的，而三次谐波对于载波的影响不是很大（这一点在2015年何松柏论文中给予了一定的反对，表明三次谐波也对IMD3有影响，可能是因为一个是LDMOS一个是GaN）。

在下一篇文章中，我们将对文章二进行研究，并且对产生两个IMD甜点的现象进行研究。