IMD sweet Spot（二）

上面IMD sweet Spot（一）对于论文一进行了阐述，下面对他的论文二进行阐述。

论文二

论文介绍

  文章主要分析不同类型功放的IMD特性，研究出现双IMD 甜点的行为
AB类中靠近压缩点的双IMD 甜点具有巨大的潜在优势，因为与A类类似的线性性能可在大幅提高效率情况下实现。
  提出TF函数（Iout(Vin)）,表示输入电压和输出电流之间的比例。下图就是得到的TF曲线图。

晶体管通常偏置在低静态电流的情况下的饱和区。

  考虑双输入电压情况下：

  小信号IM3


  Gn是与非线性传输函数相关以至于IM3在Iout可以表示成：

  在低输入功率情况下，IM3必须主要由G3决定，即IM3按3dB/dB增长，上面这个公式可以表明，在G3和G5相互作用的情况下，如果符号相反，就可能出现一个IMD 甜点，然而通常G3的贡献比较大，G5的贡献比较小。

  用TSIDF函数来描述大信号，这里的Vin(t1,t2)是一个双音信号，当输入功率非常大的时候，Iout接近与一个常数，相位变成负的。

  不同的IMD特征现在可以从小信号、开启信号和大信号区域的贡献之间的转换来描述。例如，开启区域和饱和区域的扩展和压缩非线性可以相互抵消，从而产生整体上更线性的操作。

下面论文我们就研究功放类型就行。
IMD行为

1）C类

  G3>0，小信号时候因为G3而上升，后来因为开启，增益扩张，IM3上升速度变快，在基波输出功率饱和时，IM3为负，因此出现了IMD最小值。
局部出现的甜点，形成了很大的C/I比，而实际中，因为输入功率是变化的，想利用这一现象在IMD的抑制上是比较困难的。

2）AB类

为了实现更好的IMD性能，同时保证增益和效率。通常设计为AB类工作。G3<0，两个最小值的第一个最小值出现在，G3是负的，而IM3是正的，在开启区的影响比较大，所以出现了第一个最小值。如果晶体管偏置距离开启较远，最小值将出现在较高的输入功率。随着输入功率的进一步增加，IM3将保持正，直到输出功率压缩，IM3必须再次变为负。这种符号的变化创造了另一个甜点，靠近压缩点。
通过选择合适的偏置点，可以将两个最小值点放在一起，形成一个宽的线性度好的区域。
（文章说这种行为在LDMOS比较常见）

3）A类

G3<0，所以没有最小值点，其实本来他的线性度也比较好。

总结

综上所述。A类通常被认为是最线性的操作方式。然而，由于双极小值的存在，在宽输入功率范围内，AB类实际上可能更线性。由于AB类中存在两个IMD最小值，LDMOS晶体管提供了巨大的潜在优势。因此，在效率显著提高的情况下，可以获得与A类中类似的IMD性能。