氧化计算、掺杂计算

2-4、薄膜制作工艺有哪几种？每种薄膜工艺的特点及适应范围？

蒸发

特点：

在真空室中把金属加热到高温（一般高于1000°C），形成金属蒸汽，在基片表面淀积形成金属薄膜

适应范围：

电阻加热蒸发镀膜：适合铝,金,铬等易熔金属

电子束蒸发镀膜：适合于难熔金属，局部温度可达3000°C，污染小，应用广。

溅射（sputtering）

特点:

在低真空的溅射室内，通入稀有气体，如：惰性气体Ar。稀有气体在外部射频电路的驱动作用下放电获得等离子体。正离子被电磁场加速形成高能离子束，高能离子束轰击置于阴极的固体表面（溅射靶），使固体原子（或分子）从溅射靶表面射出，进而以一定能量淀积在基片架上的基片上，形成所需要的薄膜。

分类：

直流溅射：利用直流辉光放电产生的离子轰击靶材进行溅射镀膜的技术，设备简单，适合软金属的低能等离子溅射。

平面RF（射频）等离子体溅射：用两个平行电极把RF信号加到靶标上，适合电绝缘材料的溅射。

平面磁控管：磁场能产生圆弧形的电子轨迹，增加离子与气体分子的相互作用，从而产生更多的离子。

圆柱形磁控管或S枪：在磁场作用下形成封闭的电子轨迹，从而在轰击目标附近形成高能离子区。

二者区别：

蒸发镀膜的速率大于溅射速率

溅射的膜材比蒸发更广泛，有更好的台阶覆盖能力和更好的应力控制特性——质量和覆盖性

化学气相淀积

特点：

使用加热、等离子体和紫外线等各种能源，使气态物质经化学反应（热解或化学合成），形成固态物质淀积在衬底基片上的技术方法。

适用范围：

不仅可以用于淀积W、Mo、Ta、Ti、Al等金属膜，其它很多种非金属材料也都可以通过CVD方法淀积

外延生长法

特点：

在单晶衬底上，在合适的条件下沿衬底原来的结晶轴向生成一层晶格结构完整的新的晶体层的制膜技术。

适用范围：

同质外延方法主要用于在单晶硅基底上形成与基底单晶硅材料晶向等晶体结构完全相同的单晶硅薄膜；

异质外延则可用于在二氧化硅层上生长多晶硅薄膜。

外延生长技术不仅仅限于在硅衬底上进行，也可在蓝宝石(Al2O3)和诸如GaAs一类的III-V族化合物材料等基底上应用。

电沉积（电镀）：

特点：

利用金属化合物的氧化还原反应——电化学反应来进行电镀获得金属

适用范围：

在微型磁传感器和执行器中广泛用于制作铜和磁性材料微结构。

在LIGA技术中，电镀还可以制作出深宽比极高的微结构。

旋转涂布法：

特点:

将溶液施加在圆片上然后使圆片高速旋转，在向心力和溶液表面张力及黏附力的共同作用下，溶液展开成厚度均匀一致的液体膜，待溶剂挥发或在烘箱中烘干以后形成所需要的聚合物薄膜。

适用范围：

适合某些聚合物的薄膜成形

溶胶-凝胶淀积法：

特点：

先淀积一层溶胶状的特定化合物，然后经凝固烧结变性形成所需要的薄膜，这种薄膜成形工艺被称之为溶胶凝胶淀积法

适用范围：

某些材料，特别是各种氧化物

2-5、假设硅片上二氧化硅层的初始厚度为27nm。在1000°C的温度条件下，分别用干法和湿法氧化方法对同样的硅片进行氧化，试估计二氧化硅氧化层厚度达到100nm时每种方法所需要的氧化时间？

干法

湿法

2-6、用离子注入方式对硅基片进行磷离子掺杂，磷离子注入的总剂量为QI＝10¹²/cm2，掺杂的位置非常靠近硅表面。然后将晶片在1100℃环境下退火40分钟。试估计离表面深度为0.10mm处的掺杂浓度是多少？

不太成功的版本

用离子注入方式对硅基片进行磷离子掺杂，磷离子注入的总剂量为QI＝1012/cm2，掺杂的位置非常靠近硅表面，0.10um处掺杂