MOS管G极串联小电阻的作用

我们经常看到,在电源电路中,功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻,几欧姆到几十欧姆不等,那么这个电阻用什么作用呢?
 
如上图开关电源,G串联电阻R13
这个电阻的作用有2个作用:限制G极电流,抑制振荡。

限制G极电流
MOS管是由电压驱动的,是以G级电流很小,但是因为寄生电容的存在,在MOS管打开或关闭的时候,因为要对电容进行充电,所有瞬间电流还是比较大的。特别是在开关电源中,MOS管频繁的开启和关闭,那么就要更要考虑这个带来的影响了。


如上图,MOS管的寄生电容有三个,Cgs,Cgd,Cds
一般在MOS管规格书中,一般会标下面三个参数:Ciss,Coss,Crss,他们与寄生电容的关系如下:
Ciss=Cgs+Cgd
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd
如以MOS管FDS2582为例:
 
Ciss=1290pF,可以看到,这个寄生电容是很可观的。
简单估算一下,假设Vgs=10V,dt=Tr(上升时间)=20ns ,Ciss=1290pF,那么可得G极在开关时的瞬间电流I=Ciss*dVgs/dt =0.6A。
在基极串联一个电阻,与Ciss形成一个RC充放电电路,可以减小瞬间电流值,不至于损毁MOS管的驱动芯片。
因为增加的这个电阻,会减缓MOS管的开启与通断时间,增加损耗,所以不能接太大。这也是为什么电阻是几欧姆或者几十欧姆的原因所在。

抑制振荡
 
MOS管接入电路,也会有引线产生的寄生电感的存在,与寄生电容一起,形成LC振荡电路。对于开关方波波形,是有很多频率成分存在的,那么很可能与谐振频率相同或者相近,形成串联谐振电路。
串联一个电阻,可以减小振荡电路的Q值,是振荡快速衰减,不至于引起电路故障。

MOS管栅极电阻的功耗该如何计算

提取问题

说干就干。

小伙伴的原问题是:“电阻电路学习中请问一下栅极电阻的功率要怎么计算?比如我10V/2A输出的驱动芯片20欧的栅极电阻。”

句子不是很通顺,想来应该是手机打字留言不方便,不过我看懂了:驱动电压是10V的,驱动电流到输出到2A,栅极串联了20Ω的电阻,请问这个电阻的功率是多少

这个小伙伴没有给出开关频率,很明显,功率是跟频率相关的,假如1秒钟驱动一次,那这个功率肯定很低,因为只有在切换的时候电阻才会有电流,大部分情况下电压稳定,电阻电流为0

我们加入开关频率1Mhz,占空比为50%的PWM波,也就是方波。

驱动电流可以达到2A,串联了20Ω电阻,因为不会发生谐振(如果不知道为什么,可以看下前面的视频),所以最大电流不会超过10V/20Ω=0.5A,也就是说驱动电流肯定是够的。这就说明了驱动电压10V不会被拉下来。

我们假定栅极走线为12mil线宽,长度为1cm的寄生电感是9.17nH,为了方便寄生,我们设为10nH吧。功率MOS管的寄生电容大概是1nF左右,我们就取1nF。

最终问题提炼为:驱动电压10V,驱动信号为PWM波,占空比为50%,频率为1Mhz,寄生电感10nH,MOS管寄生电容为1nF,栅极串联电阻为20Ω,请问,这个电阻消耗的功率是多大?

建立模型

我们提取电路模型如图。

那么如何求电阻功率呢?确实不好求,有电感,有电容,阻抗也是随频率变化的,不固定,咋整?

理论基础

这个时候,就需要运用到前面学的知识啦,信号在脑子里面是什么样的呢?信号在脑子里面应该被拆解为一个个频率的正弦波,别说你不知道啊,我文章写了,视频也发了,不知道的话你对得起我么?

先将驱动电压波形拆解为各个频率正弦波,然后分别计算各个正弦波分量在电阻上面的功率,再把它们加起来就是总功率了。

What?这么复杂?你在玩我吗?

这么复杂的事情自然是我帮你们干了。

我的思路是使用Matlab工具,这个工具有个好处,那就是我们可以构建任意波形,不一定非得是正弦波,三角波,方波这种,反正都是一序列的点,只要能描述出来,就可以进行处理。

构建驱动序列之后,使用fft函数分析频谱,得到各个频率的幅度值,这个东西其实就是对应频率的电压值啦。如图

我们知道,电感和电容的阻抗在不同的频率下是不同的,它是频率的函数,jwL和1/jwC。因此,上面的模型,我们很容易就能写出来总的阻抗公式了,之所以要得到阻抗,是因为我们要求电阻每个频率分量的电流。

阻抗Z=Rs+jwL+1/jwC,可以看出总阻抗由三部分组成

现在我们有了各个频率分量的电压值,也有了阻抗,那么各个分量的电流值就出来啦。因为是串联的,所以这个电流也是流过电阻的电流。

我们再根据P=I^2*R,就可以求出各个频率分量的功率的,再把它们加起来,那就是总功率了。

最终我们求得,电阻的功耗是P=0.10047W

Matlab代码

上面的过程看起来是很复杂的,其实Matlab代码很简单,也就那么三四十行。真正计算的过程也就不到10行,其它的都是定义变量,画图,设置坐标轴什么的。

建议大家可以运行代码试试,我之前也分享了在线运行Matlab的方法。

无需安装,Matlab在线执行

看不懂代码也没关系,这个模型最重要的参数就5个,电感,电容,电阻,驱动电压,开关频率。可以自己去尝试修改为不同的值,这样可以算出各种不同情况下电阻的功率。也可以收藏下,在以后真正需要计算的时候,代入相关参数,就可以得到电阻的功率啦。

需要指出的是,这些参数对结果的影响很大,我就不一一说明有啥差别啦。

Fclk=1000000; %PWM频率为1MHz
U0 = 10;     %电压幅值10V
Rs = 20;     %串联电阻为20Ω
ESL= 10^(-8);  %走线电感10nH
C= 10^(-9);  %走线电感为1nF
 
Fs=1000*Fclk;  %采样率为基频的1000倍
Num_T=100;     %分析100个周期的信号
L=(Fs/Fclk)*Num_T;   %100个周期信号长度(采样总点数)
T=1/Fs;    %采样周期
t=(1:L)*T; %时间长度
 
N=length(t);
LEN_PWM=zeros(1,N);  %定义PWM信号采样序列
for i=1:N            %产生PWM信号-点序列
     if  mod(i,(Fs/Fclk))<Fs/(2*Fclk)
         LEN_PWM(i)=0;
     else
         LEN_PWM(i)=U0;  
     end
end
 
figure;
subplot(2,2,[1 2]);
plot(t,LEN_PWM);      %画出PWM信号
title('PWM波形','FontSize',18);
set(gca,'XLim',[0 10/Fclk]);%x轴的数据显示范围
set(gca,'YLim',[-0.5 10.5]);%y轴的数据显示范围
xlabel('时间t (s)','FontSize',18);
ylabel('电压/V','FontSize',18);
 
X_LEN_PWM=abs(fft(LEN_PWM));   %fft傅里叶变换
Fn=Fs*(0:(L/2))/L;          %各个谐波频率序列  
An=X_LEN_PWM(1:L/2+1)*2/L;  %每个谐波的幅值序列
 
Zn=Rs+Fn.*ESL.*2.*pi.*1i+1./(Fn.*C.*2.*pi.*1i);  %各个频率对应的总阻抗序列
Pn=(((0.707.*An)./abs(Zn)).^2)*Rs;  %各个频率的功率序列,电压有效值除以阻抗得到电流
Pall=sum(Pn)   %总功率      
 
subplot(2,2,3);
semilogx(Fn,An);
title('PWM频谱','FontSize',18);
xlabel('f (Hz)','FontSize',18);
ylabel('幅度','FontSize',18);
 
subplot(2,2,4);
semilogx(Fn,Pn);
title(['电阻功率谱-总功率=',num2str(Pall),'W'],'FontSize',18);
xlabel('f (Hz)','FontSize',18);
ylabel('幅度','FontSize',18);

在我写完文章之后,也有人说用下面这个公式也可以计算:

对电容用脉冲波充放电产生的损耗可以使用P_loss=VDD²×C_load×f进行快速估算,该损耗发生在脉冲源的内阻,导线上的电阻和电容内阻上。只要满足电容上的脉冲波形跟原波形差不多,都可以用次公式估算,与占空比无关。

                        
原文链接:

https://blog.csdn.net/weixin_42005993/article/details/114444054

https://blog.csdn.net/weixin_42005993/article/details/93927285

### MOSFET 栅管与电阻并联电路设计及作用 #### 设计原理 在MOSFET驱动电路中,栅上并联的齐纳二管(Zener Diode)主要用于限制栅电压,防止因过压而导致MOSFET受损。当栅电压超过设定阈值时,齐纳二管击穿导通,将多余的能量泄放到地线或电源端,从而保护MOSFET不受损害[^1]。 为了进一步优化性能,通常会在齐纳二管旁边串联一个适当阻值的电阻。这个电阻作用在于抑制由PCB布线电感、布线电阻以及结电容共同引起的LCR振荡效应,减少栅电压波动带来的振铃现象,确保MOSFET能够稳定工作[^4]。 #### 电路配置建议 具体来说,在实际应用中应遵循以下原则: - **位置安排**:为了避免潜在的振荡风险,推荐将齐纳二管连接至栅串连电阻之外侧;即先通过一个小电阻接入栅端子后再接齐纳二管。 - **元件选择**: - 对于齐纳二管的选择需依据所使用的MOSFET的最大允许栅源电压(Vgs(max))来决定其稳压值; - 考虑到散热需求和响应速度等因素,还需挑选合适的功耗等级和反向恢复时间参数; - 关于串联电阻,则要综合考量预期的工作频率范围及其对上升沿下降沿的影响程度选取恰当数值。 ```python # Python伪代码展示如何根据特定条件计算所需电阻值 def calculate_resistor_value(L, C): R = 2 * (L / C)**0.5 # 计算理想情况下的最佳电阻值 return round(R) # 假设已知寄生电感 L 和电容 C 的大致量级 resistance_needed = calculate_resistor_value(1e-9, 1e-12) print(f"Recommended resistor value is {resistance_needed} Ohms.") ``` #### 影响因素分析 值得注意的是,除了上述提到的因素外,PCB布局同样会对最终效果产生重要影响。例如过多的过孔会引入额外的寄生电感,不利于高频信号传输;而放置不当的大容量旁路电容器则可能导致局部电流回流路径变长,进而剧噪声干扰等问题。因此,在进行物理实现之前务必充分考虑到这些细节方面的要求[^5]。
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