文氏桥振荡电路多类分析 LM386 DZ006套件

最新推荐文章于 2024-03-21 15:43:53 发布

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分类专栏：电路基础文章标签：模拟电路

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文氏桥电路原理分析

文氏电桥振荡电路原理详解及Multisim实例仿真

最基本的，运算放大器的Vo = Av*(V+ - V-)。这是不变的，基于此，搭建最基本的文氏桥振荡电路就是在这里插入图片描述

这个电路，当把RC串并联电路用复数域分析，得到的正反馈增益是约为1/3的，所以需要负反馈有3的放大倍数。但是实际电路中能够实现3是很难的，所以这个电路基本无实际应用。
那么就需要改进。
在这里插入图片描述

引入自动调节的负反馈网络。
当电路开始振荡时保证放大倍数大于3，这样可以使得电路容易起振，而当电路的振荡幅度增大到某个程度时，将其放大倍数自动切换为小于3，这样就能限制振荡的最大幅度，从而避免振荡波形出现削波失真。

这里增加了R5、D1、D2，当振荡信号比较小时，二极管没有导通，因此R5、D1、D2支路相当于没有，因此放大倍数大于3，而当振荡信号比较大时，二极管导通，相当于R5与R4并联，这样放大倍数就会小一些（合理设置R5的阻值，可以使其放大倍数小于3）。

而对于单电源供电时
在这里插入图片描述在单电源供电系统中，我们增加了电阻R6与电容C3，电阻R6的值通常与R1相同，这样两者对直流正电源VCC分压，则有A点的电位为（VCC/2），再利用电容C3的“隔直流通交流”特性，使R4（R5）引入直流全负反馈，此时相当于一个电压跟随器，因此输出静态时输出电压为VCC/2，此时电路的直流通路等效如下图所示：在这里插入图片描述
输出正弦波是以6V（即12V的一半）作为中点的。

在这里插入图片描述
这个也是相似原理，当最开始振幅较小的时候，D1D2支路断路，R4R5串联，此时放大倍数大，当振荡增大到一定时，D1D2导通，此时R5被短路，放大倍数减小，维持平衡。这就是我们的DZ006电路的分析。

DZ006电路分析

在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

这个电路，实际用示波器观察到的波形很差，下半周有一段被截止了，仿真出来也是很差的结果。

拓展1——JFET

(注意，是JFET，不是MOS，是不同的JFET与MOSFET的基本特性比较)
从原理上很容易看出，电路输出波形的幅度与二极管的正向压降有很大的关系，我们可以用下图所示电路来摆脱这个问题：
在这里插入图片描述
N沟道JFET的阀值电压VTH为负压，当VGS=0时（即电路刚上电时），源-漏导通而将R5短接到地，R5与R3并联再与R4组成负反馈，此时电路的放大倍数约为3.3（大于3），电路开始起振，振荡的幅度也会越来越大；当输出负压足以使VGS<VTH时，JFET截止，此时电路的放大倍数约为2.9（小于3），此电路的输出幅值约为JFET的阀值电压（负压）加一个二极管压降，即VTH+VD，也就是刚好达到这个值的时候，放大倍数就会减小，所以这个临界点就是赋值。

MOS管GS并联电阻的作用

MOS管GS并联电阻的作用，在MOS管的驱动电路里,某些场合下,会看到这个电阻,在某些场合中,又没有这个电阻.这个电阻的值比较常见的为5k,10k.但是这个电阻有什么用呢?

以下来自链接http://www.kiaic.com/article/detail/1413
在分析这个问题之间,可以做一个简单的实验:
找一个mos管,让它的G悬空,然后在DS上加电压,结果是怎样?结果是在输入电压才几十V的时候,管子就烧掉了,因为管子导通了.

为什么mos管在没有加驱动信号（比如驱动芯片在没启动或者损坏的情况下芯片驱动脚为高阻态）的前提下会导通,那是因为管子的DG,GS之间分别有结电容,Cdg和Cgs.所以加在DS之间电压会通过Cdg给Cgs充电,这样G极的电压就会抬高直到mos管导通.
所以在驱动电路没有工作,而且没有放电回路的时候,mos管很容易被击穿.假如采用变压器驱动,变压器绕组可以起到放电作用,所以即使不加GS电阻,在驱动没有的情况下,管子也不会自己导通。

MOS管GS并联电阻的作用小结

1、防静电损坏MOS（看到个理由是这么说的：由于结电容比较小根据公式U=Q/C，所以较小的Q也会导致较大的电压，导致mos管坏掉）
2、提供固定偏置，在前级电路开路时，这个较小的电阻可以保证MOS有效的关断（理由：G极开路，当电压加在DS端时候，会对Cgd充电，导致G极电压升高，不能有效关断）
3、下面还有就是对电阻大小的解释，如果太小了，驱动电流就会大，驱动功率增加；如果太大，MOS的关断时间会增大；

MOS管击穿的原因及解决方案详解

第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。
第二、MOS电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为1mA，在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时，应串接输入保护电阻。因此应用时可选择一个内部有保护电阻的MOS管应。还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。

MOS是电压驱动元件，对电压很敏感，悬空的G很容易接受外部干扰使MOS导通，外部干扰信号对G-S结电容充电，这个微小的电荷可以储存很长时间。在试验中G悬空很危险，很多就因为这样爆管，G接个下拉电阻对地，旁路干扰信号就不会直通了，一般可以1020K。这个电阻称为栅极电阻，
作用1：为场效应管提供偏置电压;
场效应管实用偏置电路分析
 场效应管放大电路的直流偏置电路及偏置电路工作原理是什么？
作用2：起到泻放电阻的作用(保护栅极G源极S)。第一个作用好理解，这里解释一下第二个作用的原理：保护栅极G~源极S：场效应管的G-S极间的电阻值是很大的，这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把这些少量的静电泻放掉，他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作，甚至有可能击穿其G-S极;这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉，从而起到了保护场效应管的作用。

mos管作用
1.可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.可以用作可变电阻。
4.可以方便地用作恒流源。
5.可以用作电子开关。
6.在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作。另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配。