泰凌微TLSR825X开发六 片上flash擦写

前言

TLSR8258片上flash容量有512K，对于一般的应用已经绰绰有余了，程序未使用到的部分可以用来做数据掉电存储
如有异议，欢迎留言指正

特性

• 扇区擦除4kB
• 块擦除支持32kB/64kB
• 支持10W次擦写，20年数据保留
• 支持256字节页写入
• 唯一的UID
• mspi总线通信方式

SDK FLASH空间分配

• 地址0x76000~0x76FFF这个扇区存储了6字节的MAC地址，泰凌微出厂烧录
• 地址0x77000~0x77FFF这个扇区存储泰凌微MCU校准定制的消息（频偏校准、TP校准、电容校准），系统启动时会读取
• 地址0x74000~0x75FFF两个扇区被BLE协议栈占用，存储配对和加密消息，用户可以修改地址
• 默认0x00000~0x3FFFF的256K作为程序空间
• 剩余的FLASH可以用作用户的数据存储空间
  

函数接口

• 扇区擦除接口，每次擦除4K空间，addr为扇区首地址

void flash_erase_sector(unsigned long addr);

• 页读取接口

void flash_read_page(unsigned long addr, unsigned long len, unsigned char *buf);

• 页写入，最大支持256字节，不支持跨页写入

void flash_write_page(unsigned long addr, unsigned long len, unsigned char *buf)

• 读取制造厂信息，适配类型、size等

unsigned int flash_read_mid(void);

• 读取16字节UID

void flash_read_uid(unsigned char idcmd, unsigned char *buf);

代码实例

• 通过写入读出数据对比测试

#define FLASH_ADDR              0x040000
#define FLASH_BUFF_LEN          8
volatile unsigned char Flash_Read_Buff[FLASH_BUFF_LEN]={0}; // 待读取数据
volatile unsigned char Flash_Write_Buff[FLASH_BUFF_LEN]= //写入数据
{       
    0x00,0x01,0x02,0x03,0x04,0x05,0x06,0x07
};
bool flash_test(void)
{
    int i;
    flash_erase_sector(FLASH_ADDR);//擦除扇区
    
    flash_write_page(FLASH_ADDR, FLASH_BUFF_LEN, (unsigned char *)Flash_Write_Buff); //写入数据
    flash_read_page(FLASH_ADDR,  FLASH_BUFF_LEN, (unsigned char *)Flash_Read_Buff);//读取数据
    
    for(i=0; i<FLASH_BUFF_LEN; i++)//数据对比
    {
        if(Flash_Read_Buff[i] != Flash_Write_Buff[i])
        {
            printf("flash test err \n");
            return false;
        }
    }
    return true;
}

问题总结

• 每次擦写必须保证系统处于安全电压以上，如果电源不稳定会出现擦写错误的情况
• 块擦除会消耗30~100ms的时间，期间禁用总中断，会影响蓝牙和其他实时中断的响应，需要开发来维护机制
• 不建议使用指针方式读取数据