SST-MARM 储存技术详解



原文地址:http://www.dramx.com/knowledge/post/5/7576.html

磁性随机存储器，简称STT-MRAM（spin-transfer torque magnetoresistence Random Access Menory），也叫自旋转移矩磁阻存储记忆体，是一种非易失性储存，其架构与传统MRAM相同，但耗电量更少，具备速度极快和耗电量低的优点，具备更好的存储密度拓展空间和信息保存能力。未来可望成为补充或者替代DRAM的产品之一。

STT-MRAM属于第2代MRAM技术，据说能够解决传统MRAM结构所存在的一些问题，STT-MRAM是众多竞相成为下一代通用存储器技术的方案之一，通用存储器是指下一代平台，能够满足各种不同应用的需求，并取代目前所使用的DRAM、SRAM和快闪存储器元件。

目前已经有多家半导体厂商在生产MRAM芯片产品，包括hynix、Toshiba、Everspin、Grandis、Crocus，而三星也表示2015开始生产。

  

   9, Jan, 2015