栅极驱动器及其应用介绍

蓦然回首学习不迟

已于 2024-11-26 09:17:58 修改

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分类专栏：电路设计元器件学习文章标签：嵌入式硬件硬件工程

于 2024-11-25 18:55:07 首次发布

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1.将控制器的低压信号转化为更高电压的驱动信号，以实现功率器件稳定导通和关断。

2.栅极驱动器能提供瞬态的拉和灌电流，提高功率器件的开关速度，降低开关损耗。
3.驱动器能够有效隔绝高功率电路的噪声，防止敏感电路被干扰。
4.通常驱动器集成了保护功能，有效防止功率器件损坏。

可见，栅极驱动的使用是为了让功率器件能更好的在系统中发挥作用。

2. 常见的功率器件有如下四种：

-Si-MOSFET耐压在20V-650V适用于小功率系统。

-Si-IGBT耐压大于650V，耐流能力强，适用于高压高功率系统。

Sic-MOSFET和Sic-IGBT都属与Si基的功率器件，制造工艺成熟稳定，目前已经得到广泛使用。

-SiC-MOSFET耐压能力与IGBT相当，但其开关速度快，开关损耗小，更适用于高压高功率系统。

-GaN器件目前由于工艺受限，通常耐压在650V以下，但开关性能优势明显，适用高频高功率系统。

SiC-MOSFET和GaN器件属于第三代宽禁带半导体，性能较Si基器件优势明显，未来应用市场广泛。

表一：常见4款功率器件特性一览

2）功率器件开关过程

栅极驱动是如何控制功率器件导通关断的呢？下面将详细介绍功率器件开关过程。功率器件存在等效的寄生电容， $C_{GS}$ ， $C_{GD}$ ， $C_{DS}$ 。功率器件的开关过程可以等效成对寄生电容的充放电过程。

1.导通过程

对于导通过程，驱动芯片将输出经过内部拉电流MOS接到驱动电源，通过栅极电阻对 $C_{GS}$ 充电和 $C_{GD}$ 放电。

图一：功率器件开关过程图示

$t_{0}$ - $t_{1}$ 阶段：栅极电流给 $C_{GS}$ 充电， $V_{GS}$ 电压逐渐增加。此时功率器件还处于完全关断状态。

$t_{1}$ - $t_{2}$ 阶段： $V_{GS}$ 电压升高到大于栅极阈值电压 $V_{TH}$ ，功率器件开始导通， $I_{DS}$ 电流随着 $V_{GS}$ 升高而增加直到最大值。

$t_{2}$ - $t_{3}$ 阶段：属于Miller平台期间，栅极电流主要给 $C_{GD}$ 放电， $V_{DS}$ 电压开始降低。器件进入完全导通状态。

$t_{3}$ - $t_{4}$ 阶段：栅极电流继续给 $C_{GS}$ 充电， $V_{GS}$ 逐渐上升到电源电压，栅极电流降低为零，导通过程结束。其中，功率器件的关断损耗主要发生在 $t_{1}$ - $t_{3}$ 。

综上可知，缩减 $t_{1}$ ~ $t_{3}$ 阶段时间，能够有效降低功率器件的开关损耗。

2.关断过程

对于关断过程，驱动芯片将输出经过内部灌电流MOS接到GND，通过栅极电阻对 $C_{GS}$ 放电和对 $C_{GD}$ 充电。

$t_{0}$ - $t_{1}$ 阶段：栅极电流主要给 $C_{GS}$ 放电， $V_{GS}$ 电压逐渐减小。

$t_{1}$ - $t_{2}$ 阶段：属于Miller平台期间，栅极电流主要给 $C_{GD}$ 充电，同时 $V_{DS}$ 电压开始上升，当电压达到 $V_{DC}$ 后，Miller平台结束。

$t_{2}$ - $t_{3}$ 阶段： $I_{DS}$ 电流开始降低，当 $V_{GS}$ 降低至 $V_{TH}$ 时， $I_{DS}$ 降为零，功率器件完全关断。

$t_{3}$ - $t_{4}$ 阶段：栅极电流继续给 $C_{GS}$ 放电， $V_{GS}$ 电压最终降低为零。关断过程结束。

功率器件的关断损耗主要发生在 $t_{1}$ - $t_{3}$ 。

综上可知，缩减 $t_{1}$ ~ $t_{3}$ 阶段时间，能够有效降低功率器件的开关损耗。

3）常见的三种驱动芯片介绍

目前常用的驱动芯片有三种，分别是非隔离低边驱动，非隔离半桥驱动，隔离驱动。

1.非隔离低边驱动

只能用于参考是GND的功率器件，可以实现双通道或单通道驱动。非隔离驱动应用比较简单，只需要单电源供电即可。主要用于低压系统中，如AC/DC、电动工具，低压DC/DC等。

图二：非隔离低边驱动功能框图

2.非隔离半桥驱动

用于带半桥的功率系统中。高低边的耐压通常采用电平转换或隔离，耐压在200V-600V范围。为了防止出现桥臂直通，半桥移驱动都带有互锁功能。在系统应用中，通常采用单电源加自举供电，主要应用在低压或高压系统中，如AC/DC、电机驱动，车载DC/DC等。

图三：非隔离半桥驱动功能框图

3.隔离驱动

通过内部隔离带，将高压和低压进行物理隔离。隔离驱动应用灵活，有单通道和双通道隔离驱动，可以用于低边，高边或半桥应用等。为了在系统中实现原副边隔离，高压侧需要采用隔离电源供电，供电系统相对复杂。隔离驱动主要用于高压系统中，如电驱，光伏逆变器，OBC等。

图四：隔离驱动功能框图

二、隔离方案介绍

1)为什么需要隔离？

在一个高压功率系统中，通常存在高压与高压之间的隔离，高压与低压之间的隔离。那为什么需要隔离驱动？一是为了避免高压电对人体产生伤害，通过隔离以满足安全标准。第二是保护控制系统，免受雷击、高压瞬变等造成的破坏。第三消除接地环路，减小高压侧对低压侧干扰。第四实现电压或电流的变化及能量的传递。

2)常见的隔离方案介绍

目前有三种常用的隔离方案，第一种光耦隔离。通过发光二极管和光电晶体管实现信号传输。优点是成本低。缺点是抗共模干扰能力弱，温度范围受限，使用寿命短。第二种隔离方案是磁隔离方案，芯片内部集成微型变压器和电子电路，从而实现信号传输。磁隔离芯片的优点是，寿命长，使用温度范围宽，CMT能力强，其缺点是工艺复杂，成本高，EMI问题突出。第三种隔离方案是电容隔离，通过隔离电容和电子电路实现信号传输。通常采用二氧化硅作为绝缘材料。容隔的优点是成本低，隔离寿命长，应用的温度范围宽，CMT能力强。