EG3014栅极驱动芯片拆解

目录

前言

特点

内部结构及引脚图

常见电路

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前言

主要参考数据手册，网上没找到相关的拆解文章就打算自己拆一下，用于自学笔记。

因为我脑子转的慢还喜欢刨根究底，所以很多东西会很详细，会包括典型电路如何工作的推导过程，可以跳着看；有其他想法、疑惑，或者觉得有其他使用方式的朋友都可以在下面留言，欢迎大家友好交流。

提到的所有典型电路均来自于数据手册or网上搜集，如果有网上搜集的会标明来源。

特点

高端悬浮自举电源设计,耐压可达 100V

内建死区控制电路，避免因开关延时而导致的上下管同时导通

自带闭锁功能，防止误操作导致的危害，彻底杜绝上、下管输出同时导通

采用半桥达林顿管输出结构，具有大电流栅极驱动能力

输出电压控制，专用于无刷电机 N 沟道 MOS 管、IGBT 管栅极驱动

HIN 输入通道高电平有效,控制高端 HO 输出

LIN 输入通道高电平有效,控制低端 LO 输出

外围器件少

静态电流小:4.5mA

封装形式:SOP-8

内部结构及引脚图

1脚：芯片工作电源输入端，推荐工作电压典型值为4.5V-30V，外接一个高频 0.1uF 旁路电容能降低芯片输入端的高频噪声；
2脚：逻辑输入控制信号高电平有效,控制高端功率 MOS 管的导通与截止；
3脚：逻辑输入控制信号低电平有效,控制低端功率 MOS 管的导通与截止；
4脚：接地端；
5脚：输出控制低端 MOS 功率管的导通与截止；
6脚：高端悬浮地端；
7脚：输出控制高端 MOS 功率管的导通与截止；
8脚：高端悬浮电源。

各模块作用

闭锁电路+死区时间电路：防止上下开关管同时导通，确保安全；

电平位移：将一个逻辑电平信号的高低电平值进行调整，以适应不同的电路或系统的需求，能使不同标准的电平互相通信；

脉冲滤波：消除干扰，改善信号质量，使输入信号的波形更接近所需的理想波形。

达林顿管：在高敏放大电路中放大微小的信号

使用方法

输出逻辑表如下：

注：由于作用原理找不到相关资料，以下为作者自行推测，如果有误还请联系我，我会及时修改

作用原理：

Vcc通过二极管+电阻+外接电容形成一个自举电路，等效一个电压源作为内部驱动器VB和VS的电源，区分高端悬浮电源和高端悬浮地端。

HIN、LIN均为0时，放大管断开，HO、LO均为0；

HIN、LIN均为1时，闭锁+死区时间电路导致上下管均不导通；

HIN为0，LIN为1时，低端输出部分达林顿管上通下断，高端输出部分达林顿管上断下通，HO为0，LO为1；

HIN为1，LIN为0时，低端输出部分达林顿管上断下通，高端输出部分达林顿管上通下断，HO为1，LO为0。

常见电路

下列各电路中的C1均为稳压电容，用来隔开1脚和4脚，后续不再赘述

中、小功率半桥驱动

工作方式：

HO=1，LO=0时：HO加压至R1产生电流，给C3充电，通过C3给Q1管一个驱动电压，此时6脚虚地，Q1导通，Vout=Vin，由于该工作场合下Vin通常小于Vcc，C2和C3这时部分放电，但两端仍有电压；

HO=0，LO=1时：LO加压至R2产生电流，给C4充电，通过C4给Q2管一个驱动电压，使Q2导通，Vout=0，6脚接地；

R1和R2作为栅极电阻，用来限制MOS管栅极的充放电速率，减少开关过程中的振铃和电磁干扰；

当工作状态在二者间切换时，C3、C4中的电荷分别通过D1、D2快速释放，极大的减少了关断时的震荡，并通过D1、D2提供负压保护。

大功率电机场合应用

这一部分也是我自己的理解，有别的思路可以一起讨论

工作原理同上，但与中小功率mos管驱动相比，大功率电机的应用场合中，输出电压和开关频率更大，增加了对电路的要求

D3选用肖特基二极管串联一个R3，用于防止开关切换时，Vout状态的突然改变导致6脚流经大量的浪涌电流，从而损坏模块内部的达林顿管；

R3限流，保护肖特基二极管本身，同时尽量确保状态平稳过渡；

D3过流保护，防止电路因能量突然释放而受损。

外接自举二极管应用

工作原理同上，区别在于使用了一个电压降更小、电压损失更少的肖特基二极管，结合C2电容形成了一个自举电路。

VB＜Vcc时，给电容C2充电，直到VB趋近于Vcc，此时VS=0V；Q1导通，VS=Vin＞0时，VB＞Vcc，D3截至，使Q1保持开通，避免出现无电容的情况下Q1直接关断的情况。

更详细的部分可参照这篇博文自举电路原理_自举电路工作原理-CSDN博客