PSRAM:一种用DRAM技术实现SRAM性能的RAM器件
PSRAM全称为Pseudo Static Random Access Memory,指的是虚拟静态随机存储器,它是采用DRAM的工艺技术,实现类似于SRAM性能的RAM器件。
相较SRAM:PSRAM的价格更低
所谓采用DRAM的工艺技术,指的是PSRAM采用与DRAM相同的1T1C(一晶体管一电容器)架构,这有别于SRAM采用的6T(六晶体管)架构。因此,相同体积下,PSRAM的容量可以做得更大,单位存储容量的价格更低。
相较DRAM:PSRAM的接口更简洁,功耗更低
而所谓实现类似于SRAM性能,指的是PSRAM在接口简洁性与功耗水平两方面,实现了类似于SRAM的性能。
PSRAM通过地址、命令管脚与I/O管脚进行复用,大大减少了管脚数,因此具备SRAM接口简洁的优点。
而PSRAM采用的自行刷新(Self-Refresh),不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据;而DRAM每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据会消失,因此PSRAM具有更低的功耗水平。
因此,相较于DRAM,PSRAM具有管脚精简、低功耗的优势;而与SRAM比较,PSRAM又具有更竞争力的价格。而管脚精简、低功耗、价格优势又是智能穿戴厂商选型的关键指标,在这三点上的优势,使得PSRAM成为该领域的首选。
多封装形式PSRAM开发验证板:一次性解决穿戴内存选型测试难题
长期以来,内存芯片的选型测试,都是开发者面对的棘手难题,这篇文章针对PSRAM的选型测试问题做了详细的阐述:浅谈PSRAM验证的信号完整性问题——AP Memory
这款开发验证板,正是在此背景下推出的,上有六颗apmemory出品的PSRAM,其中包含SOP 8、USON8、BGA90、WLCSP、BGA24_x8、BGA24_x16六种封装形式。其中最小的是右上角的WLCSP封装。开发者可以根据需求进行选择,一次性完成内存选型测试工作。
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