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multisim
limanjihe
这个作者很懒,什么都没留下…
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Bipolar Junction Transistor特性曲线
通过对NP结的掺杂程度来划分e/c极;集电结相对重掺杂; 三极管在硬件设计中太过普遍了,不过要很好的理解三级管的特性,却没有那么简单,下图的曲线中截止区和放大区理解较为容易,而饱和区不能看图理解,否则会很迷糊。(1)截止区:简单的讲就是三极管未导通,Ube<打开电压,一般是小于0.5或者0.7V,此时Ib=0,Ic=Iceo≈0.(2)放大区:发射结正偏(Ube>0),集电结反偏(Ubc<0),即Vc>Vb>Ve, 此时Ic=βIb,成线性放大关系。(3)饱和区:发原创 2021-09-23 15:27:12 · 721 阅读 · 0 评论 -
MOS管的开关特性
一、静态特性 MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。 图3.8(a)为由NMOS增强型管构成的开关电路。 图3.8 NMOS管构成的开转载 2015-04-03 20:57:24 · 2424 阅读 · 0 评论 -
NMOS&PMOS特点
在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种。我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造。在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。 1.导通特性 NMOS转载 2015-04-03 20:58:49 · 4337 阅读 · 0 评论